沿革年表 1963〜2026年における重要度別の出来事(合計70件)

年月区分社長/CEO出来事年度売上高純利益
重要事項会社設立
東京エレクトロン研究所を設立
東京放送(TBS)の関係会社として東京都港区に設立。VTR・カーラジオ等の輸出及び電子機器の輸入業務を開始
日商出身の久保徳雄・小高敏夫が独立創業。TBSの出資を得てエレクトロニクス専門商社としてスタート
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1963
1-12月
研究開発
米国サームコ社と代理店契約を締結し拡散炉の輸入販売を開始
半導体製造装置輸入の第一号案件。小高敏夫が渡米しK&S社社長の紹介でサームコ副社長と面談、2週間の技術研修を経て契約獲得
半導体製造装置の輸入販売という同社の中核事業の起点。拡散炉は後に国内シェア70%を獲得する主力商品に成長
1964
1-12月
重要事項
米国フェアチャイルド社と代理店契約を締結しICテスターの輸入販売を開始
ICテスター第1号機は日本電気に納入。1台4000万円の高額装置をデモ用に自費購入し国内ICメーカーへの売り込みに成功。フェアチャイルド創業者ノイスとの人脈も構築
日本のIC産業黎明期に製造装置を供給する「仕掛人」の役割を確立。各社の開発責任者をフェアチャイルド工場に案内し日本のIC産業のスタートを後押しした
組織再編
大阪支社を開設
1968
1-12月
FY70
1970/3
売上高
121億円
当期純利益
1.29億円
FY71
1971/3
売上高
115億円
当期純利益
0.63億円
FY72
1972/3
売上高
126億円
当期純利益
0.79億円
米国現地法人Tokyo Electron America, Inc.を設立
米国進出の足がかり。当初は輸出入業務の窓口として機能し後に直販拠点へ発展
FY73
1973/3
売上高
202億円
当期純利益
3.67億円
FY74
1974/3
売上高
248億円
当期純利益
2.68億円
重要事項社長交代
久保徳雄が社長に就任
小高敏夫が専務に就任。親会社TBS派遣の遠藤社長は会長へ。石油ショック後の経営危機を受け独立路線を強化
創業者2名による経営体制の確立。輸出撤退とIC製造装置への集中という戦略転換の起点
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FY75
1975/3
売上高
211億円
当期純利益
2.24億円
FY76
1976/3
売上高
244億円
当期純利益
3.44億円
FY77
1977/3
売上高
277億円
当期純利益
3.96億円
FY78
1978/3
売上高
242億円
当期純利益
5.35億円
組織再編
消費財輸出事業から全面撤退
1976年9月に電卓輸出を撤退済。カーステレオ・トランシーバーの輸出販売も全面停止しIC製造装置の輸入・国産化に経営資源を集中
売上の6割を占める事業を切り捨てIC製造装置に特化する大胆な戦略転換。小高は「自分の体力では持ち上げられないバーベルを下ろした」と表現
FY79
1979/3
売上高
312.2億円
当期純利益
8.05億円
組織再編
桜洋行株式会社に合併される
株式額面金額を500円から50円に変更するための形式上の合併
FY80
1980/3
売上高
445.27億円
当期純利益
19.12億円
株式上場
東京証券取引所市場第二部に上場
設立17年目で上場を果たし信用力と資金調達力を獲得
FY81
1981/3
売上高
550.63億円
当期純利益
33.01億円
設備投資
山梨事業所を開設
山梨県韮崎市
FY82
1982/3
売上高
690.07億円
当期純利益
41億円
FY83
1983/3
売上高
828.44億円
当期純利益
50.46億円
設備投資
九州支社を開設
熊本県菊池郡菊陽町。初の自社工場を併設
FY84
1984/3
売上高
1,221.42億円
当期純利益
73.18億円
組織再編
テルメックを合併
1970年8月設立の100%子会社。プローバー(ウェファ検査装置)の国産製造メーカー
メーカー機能の内部取り込みを加速。商社からメーカーへの業態変革における重要な一歩
株式上場
東京証券取引所市場第一部に指定替え
東証一部上場により優秀な人材の獲得が容易になり技術者集団としての成長を加速
FY85
1985/3
売上高
1,501億円
当期純利益
93.89億円
FY86
1986/3
売上高
843億円
当期純利益
5.84億円
企業買収
テル・ラム株式会社の全株式を取得しテル山梨とする
1983年7月設立
FY87
1987/3
売上高
763億円
当期純利益
6.78億円
設備投資
府中テクノロジーセンターを開設
東京都府中市
合弁設立
テル・サームコ株式会社の全株式を取得しテル相模とする
1968年2月設立の米サームコ社との合弁会社。拡散炉等の製造拠点
米国サームコとの合弁を解消し拡散炉製造を完全内製化
FY88
1988/3
売上高
1,259億円
当期純利益
37.51億円
FY89
1989/3
売上高
1,733億円
当期純利益
77.25億円
テル・ジェンラッドをテル山梨に吸収合併し東京エレクトロン山梨に改称
FY90
1990/3
売上高
1,903億円
当期純利益
99.25億円
東京エレクトロンFE株式会社を設立
FY91
1991/3
東京エレクトロンデバイスが電子部品販売を開始
1986年3月設立の旧テル管理サービス株式会社を改組
企業買収
東京エレクトロンデバイスの全株式を取得
東京エレクトロン ソフトウェア・テクノロジーズを設立
旧東京エレクトロン札幌株式会社
FY92
1992/3
売上高
1,972億円
当期純利益
83億円
FY93
1993/3
売上高
1,539億円
当期純利益
17億円
東京エレクトロン相模と東京エレクトロン東北が合併し東京エレクトロン東北に
FY94
1994/3
売上高
1,897億円
当期純利益
51億円
東京エレクトロン佐賀と東京エレクトロン九州が合併し東京エレクトロン九州に
韓国現地法人Tokyo Electron Korea Ltd.を設立
旧Tokyo Electron FE Korea Ltd.
欧州現地法人Tokyo Electron Europe Ltd.を設立
英国に設立
FY95
1995/3
売上高
2,516億円
当期純利益
97億円
組織再編
現在の本店所在地へ移転
重要事項組織再編
海外販売を代理店経由から直販体制に全面転換
米国テキサス州オースティンにTokyo Electron Americaを再編しクリーンルーム付き戦略拠点を構築。欧州は英国を統括拠点とし各国に現地法人を設立。海外法人トップには全て現地人を起用
国内依存型から真のグローバル企業への転換点。6年間で海外売上比率を34%から70%に引き上げ、半導体不況を乗り越え再成長する基盤を構築
経営判断をよむ →
企業買収
韓国Tokyo Electron FE Korea Ltd.の全株式を取得しTokyo Electron Korea Ltd.とする
1993年9月設立
台湾現地法人Tokyo Electron Taiwan Ltd.を設立
FY96
1996/3
売上高
4,017億円
当期純利益
309億円
FY97
1997/3
売上高
4,327億円
当期純利益
299億円
米国現地法人Tokyo Electron Arizona, LLCを設立
FY98
1998/3
売上高
4,555億円
当期純利益
300億円
FY99
1999/3
売上高
3,138億円
当期純利益
18億円
FY00
2000/3
売上高
4,407億円
当期純利益
198億円
企業買収
米国Supercritical Systems, Inc.の全株式を取得
超臨界流体技術を用いた洗浄装置メーカー
FY01
2001/3
設備投資
関西テクノロジーセンターを開設
兵庫県尼崎市
企業買収
米国Timbre Technologies, Inc.の全株式を取得
光学計測技術を持つ企業
佐藤潔
東京エレクトロン山梨と東京エレクトロン宮城が合併し東京エレクトロンATに
FY02
2002/3
売上高
7,238億円
親会社株主に帰属する当期純利益
620億円
中国現地法人Tokyo Electron (Shanghai) Logistic Center Ltd.を設立
佐藤潔
Tokyo Electron Massachusetts, Inc.とTokyo Electron Phoenix Laboratories, Inc.が合併
Tokyo Electron Massachusetts, LLCとなる
FY03
2003/3
売上高
4,605億円
親会社株主に帰属する当期純利益
-415億円
株式上場
東京エレクトロンデバイスを東京証券取引所市場第二部に上場
佐藤潔
中国現地法人Tokyo Electron (Shanghai) Ltd.を設立
FY04
2004/3
売上高
5,296億円
親会社株主に帰属する当期純利益
82億円
米国TEL Technology Center, America, LLCを設立
米国Tokyo Electron America, Inc.とTokyo Electron Texas, LLCが合併
東京エレクトロンリースと東京エレクトロンロジスティクスを合併
現東京エレクトロンBP株式会社
中国Tokyo Electron Device (Shanghai) Ltd.を設立
佐藤潔
東京エレクトロンATと東京エレクトロン東北が合併し東京エレクトロンATに
FY05
2005/3
売上高
6,357億円
親会社株主に帰属する当期純利益
616億円
東京エレクトロンFEと東京エレクトロンEEが合併し東京エレクトロンFEに
Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.を設立
中国Tokyo Electron Device Hong Kong Ltd.を設立
佐藤潔
米国TEL Technology Center, America, LLCとSupercritical Systems, Inc.が合併
FY06
2006/3
売上高
6,736億円
親会社株主に帰属する当期純利益
480億円
中国Tokyo Electron Device (Wuxi) Ltd.を設立
韓国Tokyo Electron Korea Solution Ltd.を設立
佐藤潔
東京エレクトロンATを分割し東京エレクトロン東北及び東京エレクトロンTSを新設
FY07
2007/3
売上高
8,519億円
親会社株主に帰属する当期純利益
912億円
東哲郎
FY08
2008/3
売上高
9,060億円
親会社株主に帰属する当期純利益
1,062億円
竹中博司
FY09
2009/3
売上高
5,080億円
親会社株主に帰属する当期純利益
75億円
竹中博司
創業以来初の営業赤字・純損失を計上
リーマン・ショック後の世界的な半導体不況により半導体製造装置の受注が急減(FY09期)
創業以来46年間黒字を維持してきたが世界金融危機の影響で初の赤字転落
FY10
2010/3
売上高
4,186億円
親会社株主に帰属する当期純利益
-90億円
竹中博司
東京エレクトロン宮城株式会社を設立
FY11
2011/3
売上高
6,687億円
親会社株主に帰属する当期純利益
719億円
東哲郎
東京エレクトロンATの商号を東京エレクトロン山梨に変更
FY12
2012/3
売上高
6,330億円
親会社株主に帰属する当期純利益
367億円
東哲郎
Tokyo Electron Singapore Pte. Ltd.を設立
FY13
2013/3
売上高
4,972億円
親会社株主に帰属する当期純利益
60億円
企業買収
米国FSI International, Inc.の買収に合意
半導体洗浄装置メーカー。先端洗浄技術と量産実績を持ち東京エレクトロン技術と補完関係。公開買付けにより全株式を取得
洗浄装置事業のポートフォリオ拡充を目的とした米国企業買収
企業買収
スイスOerlikon Solar Holding AGの全株式を取得し太陽光パネル製造装置事業に本格参入
薄膜シリコン太陽光パネル用一貫製造ラインの製造・販売。2009年よりアジア地域の販売代理店として関係構築
半導体以外の成長領域への多角化を試みたが市場の供給過剰で事業環境は厳しい状況が続いた
重要事項企業買収
東哲郎
Applied Materials, Inc.との対等な経営統合に合意
オランダに統合持株会社を設立し東証・NASDAQに上場する計画。新会社名は「Eteris」。統合により半導体・FPD製造装置分野の技術革新を牽引するリーディング企業を目指す
実現すれば半導体製造装置業界で圧倒的首位となる世界最大規模の経営統合。業界の競争構造を一変させる可能性があった
FY14
2014/3
売上高
6,121億円
親会社株主に帰属する当期純利益
-194億円
組織再編
太陽光パネル製造装置(PVE)事業からの撤退を決定
生産設備の供給過剰で投資回収が見込めずスイスTEL Solar AGでの製造開発・販売を停止。FY13にのれん・固定資産の減損損失326億円を計上し純損失▲194億円
Oerlikon Solar買収からわずか2年での撤退。半導体以外への多角化の挫折
事業売却
河合利樹
東京エレクトロンデバイスの株式を一部売却し持分法適用関連会社へ異動
FY15
2015/3
売上高
6,131億円
親会社株主に帰属する当期純利益
718億円
企業買収
河合利樹
Applied Materials, Inc.との経営統合契約を解約
米国司法省との間で競争法上の認識の違いが解消できず承認の目処が立たなかったため両社合意の上で解約
業界史に残る大型統合が独禁法の壁で頓挫。TELは独自路線での成長戦略を再構築することとなった
FY16
2016/3
売上高
6,639億円
親会社株主に帰属する当期純利益
778億円
TEL Solar AGの解散・清算手続きを開始
PVE事業撤退に伴いスイス子会社を解散。貸付金の債権放棄を実施
河合利樹
FY17
2017/3
売上高
7,997億円
親会社株主に帰属する当期純利益
1,152億円
河合利樹
東京エレクトロン山梨と東京エレクトロン東北が合併
東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ株式会社に改称
FY18
2018/3
売上高
11,307億円
親会社株主に帰属する当期純利益
2,043億円
経営計画
河合利樹
中期経営計画と新財務モデルを発表
FY20目標:売上高1.5〜1.7兆円・営業利益率26.5〜28%・ROE 30〜35%。中長期で営業利益率30%以上を目指す
AI・IoTによる半導体産業の新たな成長ステージに合わせワールドクラスの収益性を目標に設定
FY19
2019/3
売上高
12,782億円
親会社株主に帰属する当期純利益
2,482億円
経営計画
河合利樹
中期経営計画と財務モデルを改定
売上高2兆円・営業利益率30%以上・ROE 30%以上のモデルを追加。米中貿易摩擦を踏まえ実現時期を5年以内に見直し
FY20
2020/3
売上高
11,272億円
親会社株主に帰属する当期純利益
1,852億円
河合利樹
FY21
2021/3
売上高
13,991億円
親会社株主に帰属する当期純利益
2,429億円
設備投資
河合利樹
東京エレクトロン九州 合志事業所に新開発棟の建設を決定
コータ/デベロッパ・洗浄装置の開発拠点。延床面積約24200㎡・全免震構造
半導体需要の急拡大に対応する開発能力の増強
FY22
2022/3
売上高
20,038億円
親会社株主に帰属する当期純利益
4,370億円
株式上場
河合利樹
東京証券取引所プライム市場に移行
市場区分の見直しにより市場第一部から移行
FY23
2023/3
売上高
22,090億円
親会社株主に帰属する当期純利益
4,715億円
経営計画
新中期経営計画を発表(FY2027目標)
売上高3兆円・営業利益率35%以上・ROE30%以上。5年間で1兆円以上の研究開発費と4000億円以上の設備投資を計画
前中計の財務目標(売上2兆円・営業利益率30%)を2年前倒しで達成したことを受け目標を引き上げ
設備投資
河合利樹
東京エレクトロン九州 合志事業所の新開発棟が着工
地上3階(一部4階)・延床面積約27000㎡・全免震構造
FY24
2024/3
売上高
18,305億円
親会社株主に帰属する当期純利益
3,639億円
設備投資
河合利樹
東京エレクトロン宮城 生産新棟の建設を発表
宮城県大和町岩倉地区に地上5階・延床面積約88600㎡の製造拠点。スマートプロダクション構想に基づき物流自動化・製造機械化を導入しNet ZEB対応
労働生産性を現行比4倍・スペース効率2倍を目指す次世代製造拠点
FY25
2025/3
売上高
24,315億円
親会社株主に帰属する当期純利益
5,441億円
設備投資
東京エレクトロン九州 合志事業所の新開発棟(プロセス開発棟)が竣工
コータ/デベロッパおよび洗浄装置の開発拠点。2023年10月着工から約2年で完成
次世代半導体製造装置の開発能力を大幅に強化
FY26
2026/3
売上高
24,435億円
親会社株主に帰属する当期純利益
5,745億円
  1. 研究開発
    米国サームコ社と代理店契約を締結し拡散炉の輸入販売を開始

    半導体製造装置輸入の第一号案件。小高敏夫が渡米しK&S社社長の紹介でサームコ副社長と面談、2週間の技術研修を経て契約獲得

    半導体製造装置の輸入販売という同社の中核事業の起点。拡散炉は後に国内シェア70%を獲得する主力商品に成長
  2. 米国フェアチャイルド社と代理店契約を締結しICテスターの輸入販売を開始

    ICテスター第1号機は日本電気に納入。1台4000万円の高額装置をデモ用に自費購入し国内ICメーカーへの売り込みに成功。フェアチャイルド創業者ノイスとの人脈も構築

    日本のIC産業黎明期に製造装置を供給する「仕掛人」の役割を確立。各社の開発責任者をフェアチャイルド工場に案内し日本のIC産業のスタートを後押しした
  3. 組織再編
    大阪支社を開設
  4. 米国現地法人Tokyo Electron America, Inc.を設立
    米国進出の足がかり。当初は輸出入業務の窓口として機能し後に直販拠点へ発展
  5. 組織再編
    消費財輸出事業から全面撤退

    1976年9月に電卓輸出を撤退済。カーステレオ・トランシーバーの輸出販売も全面停止しIC製造装置の輸入・国産化に経営資源を集中

    売上の6割を占める事業を切り捨てIC製造装置に特化する大胆な戦略転換。小高は「自分の体力では持ち上げられないバーベルを下ろした」と表現
  6. 組織再編
    桜洋行株式会社に合併される

    株式額面金額を500円から50円に変更するための形式上の合併

  7. 株式上場
    東京証券取引所市場第二部に上場
    設立17年目で上場を果たし信用力と資金調達力を獲得
  8. 設備投資
    山梨事業所を開設

    山梨県韮崎市

  9. 設備投資
    九州支社を開設

    熊本県菊池郡菊陽町。初の自社工場を併設

  10. 組織再編
    テルメックを合併

    1970年8月設立の100%子会社。プローバー(ウェファ検査装置)の国産製造メーカー

    メーカー機能の内部取り込みを加速。商社からメーカーへの業態変革における重要な一歩
  11. 株式上場
    東京証券取引所市場第一部に指定替え
    東証一部上場により優秀な人材の獲得が容易になり技術者集団としての成長を加速
  12. 企業買収
    テル・ラム株式会社の全株式を取得しテル山梨とする

    1983年7月設立

  13. 設備投資
    府中テクノロジーセンターを開設

    東京都府中市

  14. 合弁設立
    テル・サームコ株式会社の全株式を取得しテル相模とする

    1968年2月設立の米サームコ社との合弁会社。拡散炉等の製造拠点

    米国サームコとの合弁を解消し拡散炉製造を完全内製化
  15. テル・ジェンラッドをテル山梨に吸収合併し東京エレクトロン山梨に改称
  16. 東京エレクトロンFE株式会社を設立
  17. 東京エレクトロンデバイスが電子部品販売を開始

    1986年3月設立の旧テル管理サービス株式会社を改組

  18. 企業買収
    東京エレクトロンデバイスの全株式を取得
  19. 東京エレクトロン ソフトウェア・テクノロジーズを設立

    旧東京エレクトロン札幌株式会社

  20. 東京エレクトロン相模と東京エレクトロン東北が合併し東京エレクトロン東北に
  21. 東京エレクトロン佐賀と東京エレクトロン九州が合併し東京エレクトロン九州に
  22. 韓国現地法人Tokyo Electron Korea Ltd.を設立

    旧Tokyo Electron FE Korea Ltd.

  23. 欧州現地法人Tokyo Electron Europe Ltd.を設立

    英国に設立

  24. 組織再編
    現在の本店所在地へ移転
  25. 企業買収
    韓国Tokyo Electron FE Korea Ltd.の全株式を取得しTokyo Electron Korea Ltd.とする

    1993年9月設立

  26. 台湾現地法人Tokyo Electron Taiwan Ltd.を設立
  27. 米国現地法人Tokyo Electron Arizona, LLCを設立
  28. 企業買収
    米国Supercritical Systems, Inc.の全株式を取得

    超臨界流体技術を用いた洗浄装置メーカー

  29. 設備投資
    関西テクノロジーセンターを開設

    兵庫県尼崎市

  30. 企業買収
    米国Timbre Technologies, Inc.の全株式を取得

    光学計測技術を持つ企業

  31. 東京エレクトロン山梨と東京エレクトロン宮城が合併し東京エレクトロンATに
  32. 中国現地法人Tokyo Electron (Shanghai) Logistic Center Ltd.を設立
  33. Tokyo Electron Massachusetts, Inc.とTokyo Electron Phoenix Laboratories, Inc.が合併

    Tokyo Electron Massachusetts, LLCとなる

  34. 株式上場
    東京エレクトロンデバイスを東京証券取引所市場第二部に上場
  35. 中国現地法人Tokyo Electron (Shanghai) Ltd.を設立
  36. 米国TEL Technology Center, America, LLCを設立
  37. 米国Tokyo Electron America, Inc.とTokyo Electron Texas, LLCが合併
  38. 東京エレクトロンリースと東京エレクトロンロジスティクスを合併

    現東京エレクトロンBP株式会社

  39. 中国Tokyo Electron Device (Shanghai) Ltd.を設立
  40. 東京エレクトロンATと東京エレクトロン東北が合併し東京エレクトロンATに
  41. 東京エレクトロンFEと東京エレクトロンEEが合併し東京エレクトロンFEに
  42. Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.を設立
  43. 中国Tokyo Electron Device Hong Kong Ltd.を設立
  44. 米国TEL Technology Center, America, LLCとSupercritical Systems, Inc.が合併
  45. 中国Tokyo Electron Device (Wuxi) Ltd.を設立
  46. 韓国Tokyo Electron Korea Solution Ltd.を設立
  47. 東京エレクトロンATを分割し東京エレクトロン東北及び東京エレクトロンTSを新設
  48. 創業以来初の営業赤字・純損失を計上

    リーマン・ショック後の世界的な半導体不況により半導体製造装置の受注が急減(FY09期)

    創業以来46年間黒字を維持してきたが世界金融危機の影響で初の赤字転落
  49. 東京エレクトロン宮城株式会社を設立
  50. 東京エレクトロンATの商号を東京エレクトロン山梨に変更
  51. Tokyo Electron Singapore Pte. Ltd.を設立
  52. 企業買収
    米国FSI International, Inc.の買収に合意

    半導体洗浄装置メーカー。先端洗浄技術と量産実績を持ち東京エレクトロン技術と補完関係。公開買付けにより全株式を取得

    洗浄装置事業のポートフォリオ拡充を目的とした米国企業買収
  53. 企業買収
    スイスOerlikon Solar Holding AGの全株式を取得し太陽光パネル製造装置事業に本格参入

    薄膜シリコン太陽光パネル用一貫製造ラインの製造・販売。2009年よりアジア地域の販売代理店として関係構築

    半導体以外の成長領域への多角化を試みたが市場の供給過剰で事業環境は厳しい状況が続いた
  54. 企業買収
    Applied Materials, Inc.との対等な経営統合に合意

    オランダに統合持株会社を設立し東証・NASDAQに上場する計画。新会社名は「Eteris」。統合により半導体・FPD製造装置分野の技術革新を牽引するリーディング企業を目指す

    実現すれば半導体製造装置業界で圧倒的首位となる世界最大規模の経営統合。業界の競争構造を一変させる可能性があった
  55. 組織再編
    太陽光パネル製造装置(PVE)事業からの撤退を決定

    生産設備の供給過剰で投資回収が見込めずスイスTEL Solar AGでの製造開発・販売を停止。FY13にのれん・固定資産の減損損失326億円を計上し純損失▲194億円

    Oerlikon Solar買収からわずか2年での撤退。半導体以外への多角化の挫折
  56. 事業売却
    東京エレクトロンデバイスの株式を一部売却し持分法適用関連会社へ異動
  57. 企業買収
    Applied Materials, Inc.との経営統合契約を解約

    米国司法省との間で競争法上の認識の違いが解消できず承認の目処が立たなかったため両社合意の上で解約

    業界史に残る大型統合が独禁法の壁で頓挫。TELは独自路線での成長戦略を再構築することとなった
  58. TEL Solar AGの解散・清算手続きを開始

    PVE事業撤退に伴いスイス子会社を解散。貸付金の債権放棄を実施

  59. 東京エレクトロン山梨と東京エレクトロン東北が合併

    東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ株式会社に改称

  60. 経営計画
    中期経営計画と新財務モデルを発表

    FY20目標:売上高1.5〜1.7兆円・営業利益率26.5〜28%・ROE 30〜35%。中長期で営業利益率30%以上を目指す

    AI・IoTによる半導体産業の新たな成長ステージに合わせワールドクラスの収益性を目標に設定
  61. 経営計画
    中期経営計画と財務モデルを改定

    売上高2兆円・営業利益率30%以上・ROE 30%以上のモデルを追加。米中貿易摩擦を踏まえ実現時期を5年以内に見直し

  62. 設備投資
    東京エレクトロン九州 合志事業所に新開発棟の建設を決定

    コータ/デベロッパ・洗浄装置の開発拠点。延床面積約24200㎡・全免震構造

    半導体需要の急拡大に対応する開発能力の増強
  63. 株式上場
    東京証券取引所プライム市場に移行

    市場区分の見直しにより市場第一部から移行

  64. 経営計画
    新中期経営計画を発表(FY2027目標)

    売上高3兆円・営業利益率35%以上・ROE30%以上。5年間で1兆円以上の研究開発費と4000億円以上の設備投資を計画

    前中計の財務目標(売上2兆円・営業利益率30%)を2年前倒しで達成したことを受け目標を引き上げ
  65. 設備投資
    東京エレクトロン九州 合志事業所の新開発棟が着工

    地上3階(一部4階)・延床面積約27000㎡・全免震構造

  66. 設備投資
    東京エレクトロン宮城 生産新棟の建設を発表

    宮城県大和町岩倉地区に地上5階・延床面積約88600㎡の製造拠点。スマートプロダクション構想に基づき物流自動化・製造機械化を導入しNet ZEB対応

    労働生産性を現行比4倍・スペース効率2倍を目指す次世代製造拠点
  67. 設備投資
    東京エレクトロン九州 合志事業所の新開発棟(プロセス開発棟)が竣工

    コータ/デベロッパおよび洗浄装置の開発拠点。2023年10月着工から約2年で完成

    次世代半導体製造装置の開発能力を大幅に強化