沿革年表 1944〜2026年における重要度別の出来事(合計36件)
| 年月 | 区分 | 社長/CEO | 出来事 | 年度 | 売上高 | 純利益 |
|---|---|---|---|---|---|---|
会社設立 | 村田昭が京都市で村田製作所を創業 個人経営でセラミックコンデンサの製造を開始 戦時下の京都で電子部品専業メーカーが誕生。戦後の電子産業勃興の基盤 | 1944 1-12月 | ||||
組織再編 | 株式会社村田製作所に改組 個人経営から法人化 個人商店からの脱皮と本格的な企業経営への転換 | 1950 1-12月 | ||||
組織再編 | 本社を京都府長岡京市に移転 | 1961 1-12月 | ||||
㈱福井村田製作所に資本参加 地域分業型の生産体制の端緒 現在100%所有の中核生産子会社 | 1962 1-12月 | |||||
株式上場 | 大阪証券取引所市場第二部に上場 1970年2月に市場第一部へ指定替え 公開会社として資本市場から成長資金を調達する体制に移行 | 1963 1-12月 | ||||
米国販売会社を設立 現Murata Electronics North America, Inc. 戦後初の海外拠点。米国電機産業への部品供給体制を構築 | 1965 1-12月 | |||||
FY67 1967/3 | 売上高 48億円 | 経常利益 2億円 | ||||
FY68 1968/3 | 売上高 56億円 | 経常利益 2億円 | ||||
FY69 1969/3 | 売上高 79億円 | 経常利益 2億円 | ||||
株式上場 | 東京証券取引所市場第二部に上場 1970年2月に市場第一部へ指定替え | FY70 1970/3 | 売上高 132億円 | 経常利益 7億円 | ||
FY71 1971/3 | 売上高 122億円 | 当期純利益 5億円 | ||||
FY72 1972/3 | 売上高 138億円 | 当期純利益 3億円 | ||||
シンガポールに生産・販売会社を設立 Murata Electronics Singapore (Pte.) Ltd. アジア初の生産拠点 | FY73 1973/3 | 売上高 192億円 | 当期純利益 5億円 | |||
FY74 1974/3 | 売上高 239億円 | 当期純利益 7億円 | ||||
FY75 1975/3 | 売上高 212億円 | 当期純利益 -1億円 | ||||
FY76 1976/3 | 売上高 257億円 | 当期純利益 0億円 | ||||
FY77 1977/3 | 売上高 460億円 | 当期純利益 19億円 | ||||
FY78 1978/3 | 売上高 367億円 | 当期純利益 9億円 | ||||
欧州初の販売会社をドイツに設立 | FY79 1979/3 | 売上高 418億円 | 当期純利益 13億円 | |||
企業買収 | 台湾の生産・販売会社を買収 現Taiwan Murata Electronics Co., Ltd. 初の本格的な海外M&A。台湾電子産業との連携 | |||||
FY80 1980/3 | 売上高 550億円 | 当期純利益 16億円 | ||||
企業買収 | カナダのErie Technological Products, Ltd.を買収 多国籍企業でセラミック部品を手掛ける。現在の米国・欧州子会社の一部 グローバル展開を決定づける大型買収。北米・欧州の事業基盤を一気に獲得 | FY81 1981/3 | 売上高 711億円 | 当期純利益 28億円 | ||
FY82 1982/3 | 売上高 875億円 | 当期純利益 34億円 | ||||
FY83 1983/3 | 売上高 928億円 | 当期純利益 38億円 | ||||
FY84 1984/3 | 売上高 1,180億円 | 当期純利益 60億円 | ||||
FY85 1985/3 | 売上高 1,573億円 | 当期純利益 103億円 | ||||
設備投資 | 野洲事業所を開設 | FY88 1988/3 | ||||
タイに生産会社を設立 Murata Electronics (Thailand), Ltd. 東南アジア生産体制の拡充 | FY89 1989/3 | |||||
設備投資 | 横浜事業所を開設 | |||||
| 村田泰隆 | FY92 1992/3 | 売上高 2,805億円 | 当期純利益 272億円 | |||
| 村田泰隆 | FY93 1993/3 | 売上高 2,721億円 | 当期純利益 237億円 | |||
| 村田泰隆 | マレーシアに生産・販売会社を設立 Murata Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd. | FY94 1994/3 | 売上高 2,792億円 | 当期純利益 247億円 | ||
| 村田泰隆 | 中国に初の生産会社を設立 Wuxi Murata Electronics Co., Ltd. 中国本土への製造拠点展開の嚆矢。後のMLCC供給体制の基盤 | FY95 1995/3 | 売上高 3,175億円 | 当期純利益 379億円 | ||
| 村田泰隆 | FY96 1996/3 | 売上高 3,219億円 | 当期純利益 372億円 | |||
| 村田泰隆 | FY97 1997/3 | 売上高 3,306億円 | 当期純利益 326億円 | |||
| 村田泰隆 | FY98 1998/3 | 売上高 3,623億円 | 当期純利益 394億円 | |||
| 村田泰隆 | FY99 1999/3 | 売上高 3,670億円 | 当期純利益 289億円 | |||
| 村田泰隆 | FY00 2000/3 | 売上高 4,591億円 | 当期純利益 616億円 | |||
| 村田泰隆 | FY01 2001/3 | 売上高 5,840億円 | 当期純利益 1,049億円 | |||
| 村田泰隆 | FY02 2002/3 | 売上高 3,947億円 | 親会社株主に帰属する当期純利益 349億円 | |||
| 村田泰隆 | FY03 2003/3 | 売上高 3,950億円 | 当期純利益 395億円 | |||
| 村田泰隆 | FY04 2004/3 | 売上高 3,949億円 | 親会社株主に帰属する当期純利益 394億円 | |||
| 村田泰隆 | FY05 2005/3 | 売上高 4,142億円 | 親会社株主に帰属する当期純利益 485億円 | |||
| 村田恒夫 | 中国・深圳に生産会社を設立 Shenzhen Murata Technology Co., Ltd. | FY06 2006/3 | 売上高 4,907億円 | 当期純利益 584億円 | ||
社長交代 | 村田恒夫 | 村田恒夫が代表取締役社長に就任 村田泰隆の後を継ぐ創業家3代目 創業家による経営継承 | FY07 2007/3 | 売上高 5,668億円 | 親会社株主に帰属する当期純利益 713億円 | |
企業買収 | 村田恒夫 | 米Murata Power Solutions(旧C&D Technologies電源事業)を買収 開発・生産・販売会社。ハイパワー電源技術を獲得 電源モジュール事業への本格参入。後のサーバー向け電源事業の技術基盤 | FY08 2008/3 | 売上高 6,316億円 | 当期純利益 774億円 | |
| 村田恒夫 | リーマンショックで初の大幅な営業赤字に転落 USGAAP連結ベースで営業損失を計上 MLCC主軸の業績が世界金融危機の需要蒸発で直撃。単年度で大幅赤字に陥った | FY09 2009/3 | 売上高 5,239億円 | 親会社株主に帰属する当期純利益 35億円 | ||
| 村田恒夫 | FY10 2010/3 | 売上高 5,308億円 | 当期純利益 247億円 | |||
| 村田恒夫 | FY11 2011/3 | 売上高 6,179億円 | 親会社株主に帰属する当期純利益 534億円 | |||
企業買収 | 村田恒夫 | フィンランドのVTI Technologies(現Murata Electronics Oy)を買収 MEMS慣性力センサの開発・生産会社 ADASレベル3以降を睨んだ戦略買収。後の減損の伏線となる投資 | FY12 2012/3 | 売上高 5,846億円 | 親会社株主に帰属する当期純利益 308億円 | |
企業買収 | ルネサスエレクトロニクスのパワーアンプ事業を譲受 高周波事業の拡充 高周波モジュール事業の強化。後に主力事業の一つに成長 | |||||
| 村田恒夫 | FY13 2013/3 | 売上高 6,810億円 | 親会社株主に帰属する当期純利益 423億円 | |||
| 村田恒夫 | FY14 2014/3 | 売上高 8,467億円 | 親会社株主に帰属する当期純利益 931億円 | |||
企業買収 | 村田恒夫 | 米pSemi Corporation(旧Peregrine Semiconductor)を買収 RF-SOI技術を持つ開発・生産・販売会社 高周波・RFフロントエンドモジュール事業の技術基盤を強化 | FY15 2015/3 | 売上高 10,435億円 | 親会社株主に帰属する当期純利益 1,677億円 | |
| 村田恒夫 | FY16 2016/3 | 売上高 12,108億円 | 親会社株主に帰属する当期純利益 2,037億円 | |||
企業買収 | 村田恒夫 | 仏Murata Integrated Passive Solutions SASを買収 開発・生産・販売会社 集積パッシブデバイス分野の強化 | FY17 2017/3 | 売上高 11,355億円 | 親会社株主に帰属する当期純利益 1,560億円 | |
重要事項企業買収 | 村田恒夫 | ソニーグループの電池事業を譲受 リチウムイオン二次電池事業への参入 電池事業への本格参入。後に構造改革で苦しむ長期課題となる | FY18 2018/3 | 売上高 13,718億円 | 親会社株主に帰属する当期純利益 1,460億円 | |
| 中島規巨 | FY19 2019/3 | 売上高 15,750億円 | 親会社株主に帰属する当期純利益 2,069億円 | |||
社長交代 | 中島規巨 | 中島規巨が代表取締役社長に就任 村田恒夫は代表取締役会長兼社長を経て会長に退任 創業家から非創業家への経営トップの移行 | FY20 2020/3 | 売上高 15,340億円 | 親会社株主に帰属する当期純利益 1,830億円 | |
設備投資 | 中島規巨 | みなとみらいイノベーションセンターを開設 横浜市西区 研究開発拠点の集約 | FY21 2021/3 | 売上高 16,301億円 | 親会社株主に帰属する当期純利益 2,370億円 | |
企業買収 | 中島規巨 | 米Resonant社を買収 XBAR技術による高周波フィルタ開発会社。Wi-Fi7/FR3対応 XBAR技術獲得による次世代フィルタ戦略の要石。後に全額減損となる | FY22 2022/3 | 売上高 18,125億円 | 親会社株主に帰属する当期純利益 3,141億円 | |
株式上場 | 中島規巨 | 東証プライム市場に移行 東京証券取引所の市場区分見直しに伴う | FY23 2023/3 | 売上高 16,867億円 | 親会社株主に帰属する当期純利益 2,439億円 | |
経営計画 | 中島規巨 | 中期経営計画MTD2024が終了、経済価値目標は未達 MTD2027として2兆円・営業利益率18%・ROIC12%を継承 MLCC以外の第二層ビジネス(高周波・電池)の失速が未達の主因 | FY24 2024/3 | 売上高 16,401億円 | 親会社株主に帰属する当期純利益 1,808億円 | |
| 中島規巨 | MEMS慣性力センサ事業の設備減損104億円を計上 VTI Technologies(2012年買収)事業。ADASレベル3の普及遅延が原因 2012年の成長投資の前提崩壊を公式に認める | FY25 2025/3 | 売上高 17,433億円 | 親会社株主に帰属する当期純利益 2,338億円 | ||
電池事業の構造改革費用を通期145億円計上 リチウムイオン二次電池事業のリストラ継続 2017年譲受の電池事業の収益化に苦戦 | ||||||
経営計画 | 自己株式取得枠を過去最大の1,000億円に拡大 買収活用も視野に入れた方針転換 キャピタル・アロケーション方針の柔軟化 | |||||
重要事項経営計画 | 米国政府とデータセンター供給でフレームワーク協定を締結 トランプ大統領来日時に署名。AIサーバー部品のサプライチェーン強靭化を約束 日本電子部品メーカーが米政府と直接協定を結ぶ異例の対応。AI覇権における日米連携の象徴 | |||||
重要事項企業買収 | Resonant社買収のれん全額438億円を減損 表面波フィルタ事業の中華圏競合台頭とFR3本格量産遅延(2030年以降)が要因 2022年買収から約3年での全額のれん減損。XBAR戦略の前提が崩壊 | 2026 1-12月 | ||||
事業売却 | マイクロ一次電池事業をマクセルに譲渡 電池事業ポートフォリオの選択と集中 非中核事業の切り出しによるリソース集中 |
- 村田昭が京都市で村田製作所を創業
個人経営でセラミックコンデンサの製造を開始
戦時下の京都で電子部品専業メーカーが誕生。戦後の電子産業勃興の基盤 - 株式会社村田製作所に改組
個人経営から法人化
個人商店からの脱皮と本格的な企業経営への転換 - 本社を京都府長岡京市に移転
- ㈱福井村田製作所に資本参加
地域分業型の生産体制の端緒
現在100%所有の中核生産子会社 - 大阪証券取引所市場第二部に上場
1970年2月に市場第一部へ指定替え
公開会社として資本市場から成長資金を調達する体制に移行 - 米国販売会社を設立
現Murata Electronics North America, Inc.
戦後初の海外拠点。米国電機産業への部品供給体制を構築 - 東京証券取引所市場第二部に上場
1970年2月に市場第一部へ指定替え
- シンガポールに生産・販売会社を設立
Murata Electronics Singapore (Pte.) Ltd.
アジア初の生産拠点 - 欧州初の販売会社をドイツに設立
- 台湾の生産・販売会社を買収
現Taiwan Murata Electronics Co., Ltd.
初の本格的な海外M&A。台湾電子産業との連携 - カナダのErie Technological Products, Ltd.を買収
多国籍企業でセラミック部品を手掛ける。現在の米国・欧州子会社の一部
グローバル展開を決定づける大型買収。北米・欧州の事業基盤を一気に獲得 - 野洲事業所を開設
- タイに生産会社を設立
Murata Electronics (Thailand), Ltd.
東南アジア生産体制の拡充 - 横浜事業所を開設
- マレーシアに生産・販売会社を設立
Murata Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.
- 中国に初の生産会社を設立
Wuxi Murata Electronics Co., Ltd.
中国本土への製造拠点展開の嚆矢。後のMLCC供給体制の基盤 - 中国・深圳に生産会社を設立
Shenzhen Murata Technology Co., Ltd.
- 村田恒夫が代表取締役社長に就任
村田泰隆の後を継ぐ創業家3代目
創業家による経営継承 - 米Murata Power Solutions(旧C&D Technologies電源事業)を買収
開発・生産・販売会社。ハイパワー電源技術を獲得
電源モジュール事業への本格参入。後のサーバー向け電源事業の技術基盤 - リーマンショックで初の大幅な営業赤字に転落
USGAAP連結ベースで営業損失を計上
MLCC主軸の業績が世界金融危機の需要蒸発で直撃。単年度で大幅赤字に陥った - フィンランドのVTI Technologies(現Murata Electronics Oy)を買収
MEMS慣性力センサの開発・生産会社
ADASレベル3以降を睨んだ戦略買収。後の減損の伏線となる投資 - ルネサスエレクトロニクスのパワーアンプ事業を譲受
高周波事業の拡充
高周波モジュール事業の強化。後に主力事業の一つに成長 - 米pSemi Corporation(旧Peregrine Semiconductor)を買収
RF-SOI技術を持つ開発・生産・販売会社
高周波・RFフロントエンドモジュール事業の技術基盤を強化 - 仏Murata Integrated Passive Solutions SASを買収
開発・生産・販売会社
集積パッシブデバイス分野の強化 - ソニーグループの電池事業を譲受
リチウムイオン二次電池事業への参入
電池事業への本格参入。後に構造改革で苦しむ長期課題となる - 中島規巨が代表取締役社長に就任
村田恒夫は代表取締役会長兼社長を経て会長に退任
創業家から非創業家への経営トップの移行 - みなとみらいイノベーションセンターを開設
横浜市西区
研究開発拠点の集約 - 米Resonant社を買収
XBAR技術による高周波フィルタ開発会社。Wi-Fi7/FR3対応
XBAR技術獲得による次世代フィルタ戦略の要石。後に全額減損となる - 東証プライム市場に移行
東京証券取引所の市場区分見直しに伴う
- 中期経営計画MTD2024が終了、経済価値目標は未達
MTD2027として2兆円・営業利益率18%・ROIC12%を継承
MLCC以外の第二層ビジネス(高周波・電池)の失速が未達の主因 - MEMS慣性力センサ事業の設備減損104億円を計上
VTI Technologies(2012年買収)事業。ADASレベル3の普及遅延が原因
2012年の成長投資の前提崩壊を公式に認める - 電池事業の構造改革費用を通期145億円計上
リチウムイオン二次電池事業のリストラ継続
2017年譲受の電池事業の収益化に苦戦 - 自己株式取得枠を過去最大の1,000億円に拡大
買収活用も視野に入れた方針転換
キャピタル・アロケーション方針の柔軟化 - 米国政府とデータセンター供給でフレームワーク協定を締結
トランプ大統領来日時に署名。AIサーバー部品のサプライチェーン強靭化を約束
日本電子部品メーカーが米政府と直接協定を結ぶ異例の対応。AI覇権における日米連携の象徴 - Resonant社買収のれん全額438億円を減損
表面波フィルタ事業の中華圏競合台頭とFR3本格量産遅延(2030年以降)が要因
2022年買収から約3年での全額のれん減損。XBAR戦略の前提が崩壊 - マイクロ一次電池事業をマクセルに譲渡
電池事業ポートフォリオの選択と集中
非中核事業の切り出しによるリソース集中