村田製作所の沿革（1944〜2026年）

村田製作所の創業から現在までの主要な出来事・経営判断・組織変化を年月順に一覧できる沿革（社史年表）ページです。 各年の売上高・純利益などの業績推移と、歴史的意義の解説をあわせて掲載しています。 社史・報道資料などの公開情報をもとに重要事項を判断の上、作成しています。

1. 1944年10月創業

   村田昭が京都市で村田製作所を創業

   個人経営でセラミックコンデンサの製造を開始

   戦時下の京都で電子部品専業メーカーが誕生。戦後の電子産業勃興の基盤
2. 1950年12月組織

   株式会社村田製作所に改組

   個人経営から法人化

   個人商店からの脱皮と本格的な企業経営への転換
3. 1961年02月組織

   本社を京都府長岡京市に移転
4. 1962年09月子会社

   ㈱福井村田製作所に資本参加

   地域分業型の生産体制の端緒

   現在100%所有の中核生産子会社
5. 1963年03月上場

   大阪証券取引所市場第二部に上場

   1970年2月に市場第一部へ指定替え

   公開会社として資本市場から成長資金を調達する体制に移行
6. 1965年05月子会社

   米国販売会社を設立

   現Murata Electronics North America, Inc.

   戦後初の海外拠点。米国電機産業への部品供給体制を構築
7. 1969年12月上場

   東京証券取引所市場第二部に上場

   1970年2月に市場第一部へ指定替え

8. 1972年12月子会社

   シンガポールに生産・販売会社を設立

   Murata Electronics Singapore (Pte.) Ltd.

   アジア初の生産拠点
9. 1978年04月子会社

   欧州初の販売会社をドイツに設立
10. 1978年11月M&A

    台湾の生産・販売会社を買収

    現Taiwan Murata Electronics Co., Ltd.

    初の本格的な海外M&A。台湾電子産業との連携
11. 1980年09月M&A

    カナダのErie Technological Products, Ltd.を買収

    多国籍企業でセラミック部品を手掛ける。現在の米国・欧州子会社の一部

    グローバル展開を決定づける大型買収。北米・欧州の事業基盤を一気に獲得
12. 1987年07月設備

    野洲事業所を開設
13. 1988年09月子会社

    タイに生産会社を設立

    Murata Electronics (Thailand), Ltd.

    東南アジア生産体制の拡充
14. 1988年11月設備

    横浜事業所を開設
15. 1993年05月子会社

    マレーシアに生産・販売会社を設立

    Murata Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.

16. 1994年12月子会社

    中国に初の生産会社を設立

    Wuxi Murata Electronics Co., Ltd.

    中国本土への製造拠点展開の嚆矢。後のMLCC供給体制の基盤
17. 2005年06月子会社

    中国・深圳に生産会社を設立

    Shenzhen Murata Technology Co., Ltd.

18. 2006年06月人事

    村田恒夫が代表取締役社長に就任

    村田泰隆の後を継ぐ創業家3代目

    創業家による経営継承
19. 2007年08月M&A

    米Murata Power Solutions(旧C&D Technologies電源事業)を買収

    開発・生産・販売会社。ハイパワー電源技術を獲得

    電源モジュール事業への本格参入。後のサーバー向け電源事業の技術基盤
20. 2009年03月業績

    リーマンショックで初の大幅な営業赤字に転落

    USGAAP連結ベースで営業損失を計上

    MLCC主軸の業績が世界金融危機の需要蒸発で直撃。単年度で大幅赤字に陥った
21. 2012年01月M&A

    フィンランドのVTI Technologies(現Murata Electronics Oy)を買収

    MEMS慣性力センサの開発・生産会社

    ADASレベル3以降を睨んだ戦略買収。後の減損の伏線となる投資
22. 2012年03月M&A

    ルネサスエレクトロニクスのパワーアンプ事業を譲受

    高周波事業の拡充

    高周波モジュール事業の強化。後に主力事業の一つに成長
23. 2014年12月M&A

    米pSemi Corporation(旧Peregrine Semiconductor)を買収

    RF-SOI技術を持つ開発・生産・販売会社

    高周波・RFフロントエンドモジュール事業の技術基盤を強化
24. 2016年10月M&A

    仏Murata Integrated Passive Solutions SASを買収

    開発・生産・販売会社

    集積パッシブデバイス分野の強化
25. 2017年09月M&A

    ソニーグループの電池事業を譲受

    リチウムイオン二次電池事業への参入

    電池事業への本格参入。後に構造改革で苦しむ長期課題となる
26. 2019年06月人事

    中島規巨が代表取締役社長に就任

    村田恒夫は代表取締役会長兼社長を経て会長に退任

    創業家から非創業家への経営トップの移行
27. 2020年12月設備

    みなとみらいイノベーションセンターを開設

    横浜市西区

    研究開発拠点の集約
28. 2022年03月M&A

    米Resonant社を買収

    XBAR技術による高周波フィルタ開発会社。Wi-Fi7/FR3対応

    XBAR技術獲得による次世代フィルタ戦略の要石。後に全額減損となる
29. 2022年04月上場

    東証プライム市場に移行

    東京証券取引所の市場区分見直しに伴う

30. 2024年03月経営計画

    中期経営計画MTD2024が終了、経済価値目標は未達

    MTD2027として2兆円・営業利益率18%・ROIC12%を継承

    MLCC以外の第二層ビジネス(高周波・電池)の失速が未達の主因
31. 2025年03月業績

    MEMS慣性力センサ事業の設備減損104億円を計上

    VTI Technologies(2012年買収)事業。ADASレベル3の普及遅延が原因

    2012年の成長投資の前提崩壊を公式に認める
32. 2025年03月業績

    電池事業の構造改革費用を通期145億円計上

    リチウムイオン二次電池事業のリストラ継続

    2017年譲受の電池事業の収益化に苦戦
33. 2025年03月経営計画

    自己株式取得枠を過去最大の1,000億円に拡大

    買収活用も視野に入れた方針転換

    キャピタル・アロケーション方針の柔軟化
34. 2025年10月戦略

    米国政府とデータセンター供給でフレームワーク協定を締結

    トランプ大統領来日時に署名。AIサーバー部品のサプライチェーン強靭化を約束

    日本電子部品メーカーが米政府と直接協定を結ぶ異例の対応。AI覇権における日米連携の象徴
35. 2026年02月M&A

    Resonant社買収のれん全額438億円を減損

    表面波フィルタ事業の中華圏競合台頭とFR3本格量産遅延(2030年以降)が要因

    2022年買収から約3年での全額のれん減損。XBAR戦略の前提が崩壊
36. 2026年03月M&A

    マイクロ一次電池事業をマクセルに譲渡

    電池事業ポートフォリオの選択と集中

    非中核事業の切り出しによるリソース集中