片山仁八郎氏
三菱電機・元取締役社長
社長就任1980年6月
生年月—
出自—
経歴1969〜1980年
経歴
| 区分 | 所属先 | 就任年 | 役職 | 現任 | 1969年主要役職の状況(推定含む目安)1980年 |
|---|---|---|---|---|---|
| 民間企業 | |||||
| 民間企業 | 三菱電機 | 1969 | 長崎製作所長 | ||
| 1972 | 神戸製作所長兼制御製作所長 | ||||
| 1974 | 取締役 | ||||
| 1977 | 常務取締役(社長室長兼海外本部長) | ||||
| 1979 | 取締役副社長 | ||||
| 1980 | 取締役社長 | ||||
社長就任までの出自
出自
1940年に九州帝国大学工学部を出て三菱電機へ入社し、長崎製作所の設計課でモーターの設計を担当した。1941年に海軍技術研究所から受注した2万5000馬力の風洞実験設備では、モーター部分を受け持っている。1969年8月に長崎製作所長、1972年3月に神戸製作所長に就任し、1974年1月に取締役、1977年6月に常務、1979年6月に副社長に就任した。役員から社長までは5年7カ月であった。
業績貢献
片山仁八郎氏:在任中の業績貢献
1981年に北伊丹製作所福岡半導体工場を新設した。1983年10月には4事業本部を機電・商品・電子システム・電子計算機・電子デバイス・海外の6事業本部へ組み替えている。半導体では1983年に米国へ工場を設立して日米摩擦の緩和を図り、1984年に愛媛県の西条工場を一部完成させた。1984年4月には日本電信電話公社が6年越しで製品を正式採用し、これを機に公社の光通信や画像通信の共同開発にも加わった。
売上高:1976年3月期〜1985年3月期
1980/310,754億円
| 決算期 | 在任 | 売上高 | 前期比 | 営業利益率 | ROE | 主な施策 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1976年3月期 | 5,917億円 | ▲4.7% | — | — | ||
| 1977年3月期 | 6,963億円 | +17.7% | — | — | ||
| 1978年3月期 | 7,922億円 | +13.8% | — | — | ||
| 1979年3月期 | 9,347億円 | +18.0% | — | — | ||
| 1980年3月期 | 10,754億円 | +15.1% | — | — | ||
| 1981年3月期 | 12,214億円 | +13.6% | — | — | 炭酸ガスレーザー発振器ML-1000Pを製品化 | |
| 1982年3月期 | 13,155億円 | +7.7% | — | — | 情報電子研究所を新設北伊丹製作所福岡半導体工場を新設 | |
| 1983年3月期 | 13,922億円 | +5.8% | — | — | 256KDRAMを製品化 | |
| 1984年3月期 | 15,877億円 | +14.0% | — | — | 事業本部を6本部体制に再編スパイラルエスカレーターを製品化 | |
| 1985年3月期 | 18,583億円 | +17.0% | — | — |
参考文献1件
参考文献
- 日本企業要覧 1979年版【役員の略歴】
事実根拠:出所(三菱電機)