SUMCO：日窒電子化学・小松電子金属の設立とシリコンウェーハの生産

SUMCOの源流のうち最も早い会社は、化学会社の新日本窒素肥料が1958年12月に設立した日窒電子化学である。設立の目的には半導体用高純度シリコンの製造と販売を掲げ、1959年10月に野田工場で生産を始めた。同じ1959年10月には、三菱金属鉱業ほかの出資で、同じ目的の日本電子金属の設立。三菱金属鉱業は1950年代半ばまでに、トランジスタ用の高純度ゲルマニウムの販売を始めていた。1961年3月時点で、大阪チタニウム製造の高純度シリコンの販売先には日本電気、東京芝浦電気、日立製作所が並んだ。電機大手がトランジスタの国産を進めたので、化学や非鉄の会社が素材を担う専業会社を相次いで設けたとみられる。

大阪チタニウム製造は1950年11月に大阪特殊製鉄所として発足し、1952年10月に住友金属工業と全面提携して社名を改めた。チタンの製造工程では副産物として四塩化珪素が生じ、大阪チタニウム製造は独自の技術でここから多結晶シリコンを作り、1960年に工業生産を始めた。続いて1961年に単結晶、1962年1月には尼崎工場でウェーハの生産を始め、素材から加工へ工程を広げた。1960年10月から1961年3月の半期で、多結晶の生産は能力360kgに対し実績280kgである。1968年時点でも社長の中川路貞治氏のもと、売上高41億円の約84%は金属チタンが占めた。チタンの工程から原料を得られたので、設備を一から揃えずにシリコンへ参入できたと推察される。

建設機械の小松製作所は1960年4月、石塚研究所と共同で出資し、小松電子金属を設立した。同じ1960年には大阪チタニウム製造も多結晶シリコンの工業生産を始めた。1958年から1960年にかけて、化学、非鉄、機械と出自の異なる会社がシリコンの会社を相次いで立ち上げたことになる。小松電子金属は1993年4月にコマツ電子金属へ改称するまで、当初の社名で事業を続けた。1990年12月には大阪チタニウム製造社長の玉本茂氏が、首位の信越半導体に続く2位グループの1社に小松電子金属を挙げた。本業と離れた素材の事業を研究所との共同出資で始めたのは、技術を外から取り込み、単独で抱える危険を抑えるためだったと思われる。

新日本窒素肥料は1964年3月にチッソ電子化学を設立し、同年8月に日窒電子化学を解散して資産をチッソ電子化学へ譲渡した。日窒電子化学が存続した期間は、設立から5年8カ月である。新会社の設立から旧会社の解散までの期間は5カ月で、高純度シリコンの事業資産は新会社へ移された。チッソ電子化学は1974年に三菱金属の傘下へ移るまで、小規模な会社のまま推移した。1961年3月時点の大阪チタニウム製造でも、多結晶シリコンの生産は半期で280kgにすぎず、市場そのものが小さかった。資産を新会社へ移し替える手順から、親会社が事業を担う会社を組み直した再編だったのだろう。

大阪チタニウム製造は1973年8月、住友金属工業と共同で出資し、ウェーハの製造会社として九州電子金属を設立した。顧客からの増量の要望に応えるために九州電子金属を設け、ウェーハだけを作る新鋭工場で量産に入ったというのが、社長の玉本茂氏の1990年の説明である。住友金属工業と大阪チタニウム製造の全面提携は1952年10月。1961年3月末には、住友金属工業が株式の12.9%を持つ大株主だった。九州電子金属は1990年時点で伊万里工場を持ち、大阪チタニウム製造グループのシリコン製造を担った。尼崎で増設を重ねるより、資本関係の深い住友金属工業と新会社を立てるほうが資金と用地を得やすかったとみられる。

三菱金属は1974年2月にチッソ電子化学を子会社とし、社名を東洋シリコンに改めた。非鉄の製錬は市況産業で、主力の銅はトン当たり70万円から1年後に40万円へ下がることもあり、自ら値を決められる製品が求められた。三菱金属は1955年以降の昭和30年代に、鉱山後を見据えて超硬工具や電子材料に開発を絞った。社長の稲井好広氏は『1、2年でモノになる技術はダメ。10年以上かけて他社にマネのできないものをつくる』という基本方針を掲げた。取得時のチッソ電子化学は毎月6000万～7000万円の赤字を出していた。三菱金属は自社も苦境にあるなかで、電子部門の将来性を重く見て保有を続けた。

三菱金属の傘下では、1959年に設立した日本電子金属と、1974年に取得した東洋シリコンの2社がシリコンを手がけていた。東洋シリコンは1978年2月に日本シリコンへ社名を改め、1979年1月に日本電子金属からシリコン事業を譲り受けた。これにより三菱金属のシリコン事業は日本シリコン1社に集約。1982年の時点で、シリコンの子会社は事業が安定し、累積赤字の解消を目前にしていた。日本シリコンは1991年10月に三菱マテリアルシリコンへ社名を変え、2002年2月の事業統合まで三菱側のシリコン事業を担った。2社に分かれていた製造と販売を1社に寄せ、重複する管理の負担を減らす狙いがあったと考えられる。

1982年の時点で、三菱金属のシリコンウェーハの市場占有率は2割強で、信越半導体に次ぐ位置にあたる。電子材料の売上高は日本シリコンの扱い分を合わせて200億円強で、三菱金属の電子材料部は順調なら1990年に1000億円を上回るとみた。三菱金属全体では1981年度に非製錬部門の売上高が1054億円と初めて1000億円台に達し、利益の7割を生んだ。社長の稲井好広氏は、製錬の市況が悪い年も非製錬の利益で配当を続けられる体制を目標に据えた。1990年12月には大阪チタニウム製造社長の玉本茂氏が、首位の信越半導体（27.5%）に続く2位グループの顔ぶれを示した。そこには大阪チタニウム製造や小松電子金属と並び、三菱金属が入った。

1990年のシリコンウェーハの世界市場では、生産の約71%が日本系の各社、25%が欧州系によるものである。大阪チタニウム製造は1982年に米国の販売会社OTCアメリカ、1988年に欧州のOTCヨーロッパを設け、販売網を広げた。1986年にはUSセミコンダクター、1989年にはシンシナティ・セミコンダクターを取得し、米国での現地生産を始めた。国内では九州電子金属の伊万里工場に第3工場を増設し、2期で計270億円を投じる計画を立てた。売上高は1985年度の419億円から1990年度に595億円となる見込みで、うち4分の3がシリコンである。1992年10月に大阪チタニウム製造は九州電子金属を吸収合併し、シリコン事業を1社に統合した。