パワー半導体へ投資集中（2010年・富士電機の決断）

何をなぜ決めたか：パワーエレクトロニクスを軸とした経営資源の集中

概要

2009年3月期に733億円の最終赤字を計上した富士電機が、2010年のSiCモジュール開発から、投資と技術開発の軸をパワー半導体とパワーエレクトロニクスへ寄せていった経営判断。単年の発表ではなく、2010年代を通じて固まった資源配分の方針である。

背景

リーマン・ショックで電子デバイス部門のHDD向けモータ販売が減少し、2009年3月期は営業赤字188億円・純損失733億円となった。半導体自体は1953年10月に進出した古い事業で、戦時中に開設した松本工場が後のパワー半導体主力工場となっていた。

内容

2010年にSiCモジュールを開発し、2013年3月に松本工場で増産投資、2016年に鈴鹿工場へパワエレテクニカルセンターを新設した。2018年度から2020年度にはパワー半導体へ500億円の増産投資を計画し、投資時期は前倒しされた。

含意

集中といっても重電・自販機・計測から撤退したわけではなく、寄せたのは投資と技術の軸であった。2024年3月期以降は最高益の更新が続く一方、パワー半導体の世界シェアは6.1%にとどまり、規模で勝る欧米勢との差は残っている。