第3章 年〜年

キオクシアホールディングス:サンディスク合弁の四日市生産と汎用DRAMからの撤退

2000年〜サンディスクと折半した四日市の合弁と、汎用DRAM撤退で一本化したNAND

2000年5月、東芝は米サンディスクとフラッシュメモリの協業を始めた。当時のフラッシュメモリは容量あたりの価格が他の記録媒体の2倍強で、約300万画素のデジタルカメラの画像を80枚しか保存できなかった。1999年度のデジタルカメラの総出荷台数は581万5000台で、高画素化に伴って1枚あたりのデータ量も増えていた。2002年4月、東芝は四日市工場でフラッシュメモリを生産するため、サンディスクと共同出資でフラッシュビジョンを設立した。東芝はフラッシュビジョンの議決権の50.1%を保有した。容量あたりの価格を下げるための増産の設備費を、カードを販売する合弁相手と分担する狙いがあったのだろう。

  • キオクシアホールディングス 有価証券届出書(新規公開時・2024年11月8日)
    • [1]2000年5月、SanDisk Corporationとフラッシュメモリについて協業を開始
    • [4]2002年4月、四日市工場でフラッシュメモリを生産するため、Western Digitalグループ(旧SanDisk)と共同出資でフラッシュビジョン㈲を設立
  • 日経ビジネス 2000年6月5日号
    • [2]2000年時点でフラッシュメモリーは容量当たり価格が他の記録媒体と2倍強の差があり、約300万画素のデジカメ画像で80枚しか記録できない
    • [3]日本電子工業振興協会によれば1999年度のデジタルカメラ総出荷台数は581万5000台で、高画素化で記録データ量が増加
  • 東芝 有価証券報告書 第167期(2006年3月期)
    • [5]関係会社の状況で、フラッシュビジョン㈲(三重県四日市市)の議決権所有割合は50.1%

2001年12月、東芝は汎用DRAM事業からの撤退を決めた。2000年12月以降、米国のパソコン需要が減速し、半導体価格の下落は東芝の見込みを大きく超えた。2001年度の東芝は2540億円の連結最終赤字を計上した。東芝社長の岡村正氏は、メモリ事業をデジタルカメラと携帯電話向けのNAND型フラッシュメモリへ転換したと説明した。岡村正氏によれば、当時のNAND型の製造元は東芝、韓国サムスン電子、米サンディスクの3社に限られていた。東芝は2003年度からの4年間で半導体に3500億円を投じ、直径300mmウエハーに対応した増産に充てると決めた。岡村正氏は投資を決めた理由を『成長の姿が見えたので、設備投資の方向を決めました。』と語った。

  • キオクシアホールディングス 有価証券届出書(新規公開時・2024年11月8日)
    • [6]2001年12月、汎用DRAM事業の撤退を決定
  • 東芝 アニュアルレポート 2001
    • [7]2000年12月以降、米国のパソコン需要減速と予想を超える半導体価格の下落で、上期の勢いを持続できなかった
  • 日経ビジネス 2003年1月20日号
    • [8]2001年度は2540億円の連結最終赤字
    • [9]岡村社長:汎用DRAM撤退後、メモリー事業はデジカメ・携帯電話向けNAND型フラッシュメモリーに方向転換した
    • [10]岡村社長:NAND型フラッシュのメーカーは東芝、サムスン電子、サンディスクの3社だけ
    • [11]半導体事業で2003年度からの4年間に3500億円を投じ、300mmウエハー対応の増産・効率化を決定
    • [12]岡村社長は成長の姿が見えたので設備投資の方向を決めたと語った

2004年3月、東北大学教授の舛岡富士雄氏は、東芝在職中に開発したフラッシュメモリの発明対価として10億円を求め、東芝を提訴した。舛岡富士雄氏は東芝に23年在籍し、その半分を工場の技術部門で過ごした。1990年代に研究所長に次ぐ技監に任じられたが、研究予算も部下も与えられず、1994年に東芝を退職した。退職後も東芝から年に数十万円の特許報酬を受け取っていたが、舛岡富士雄氏は提訴の動機を金銭ではないと語ったという。一方の東芝は2007年のアニュアルレポートで、NAND型の特許を企業収益の向上に活用する方針を示した。発明を収益に変える会社の仕組みと発明者本人の処遇との隔たりが、退職から10年後の訴訟として顕在化したと推察される。

  • 日経ビジネス 2004年6月7日号 特集(p30〜33)
    • [13]2004年3月、東北大学教授の舛岡富士雄が東芝時代に開発したフラッシュメモリーについて10億円の発明対価を求めて提訴。退職は1994年
    • [14]舛岡は東芝在籍23年の半分を工場の技術部門で過ごした
    • [15]1990年代に研究所長に次ぐ技監となったが研究予算も部下もなく、退職を決意した
    • [16]退職後も東芝から年に数十万円の特許報酬が振り込まれているが、舛岡は「カネの問題ではない」と言う
  • 東芝 アニュアルレポート 2007
    • [17]知的財産:NAND型フラッシュメモリの特許群を戦略的に活用し企業収益の向上を図る
参考文献[1]-[17]
  • キオクシアホールディングス 有価証券届出書(新規公開時・2024年11月8日)
    • [1]2000年5月、SanDisk Corporationとフラッシュメモリについて協業を開始
    • [4]2002年4月、四日市工場でフラッシュメモリを生産するため、Western Digitalグループ(旧SanDisk)と共同出資でフラッシュビジョン㈲を設立
    • [6]2001年12月、汎用DRAM事業の撤退を決定
  • 日経ビジネス 2000年6月5日号
    • [2]2000年時点でフラッシュメモリーは容量当たり価格が他の記録媒体と2倍強の差があり、約300万画素のデジカメ画像で80枚しか記録できない
    • [3]日本電子工業振興協会によれば1999年度のデジタルカメラ総出荷台数は581万5000台で、高画素化で記録データ量が増加
  • 東芝 有価証券報告書 第167期(2006年3月期)
    • [5]関係会社の状況で、フラッシュビジョン㈲(三重県四日市市)の議決権所有割合は50.1%
  • 東芝 アニュアルレポート 2001
    • [7]2000年12月以降、米国のパソコン需要減速と予想を超える半導体価格の下落で、上期の勢いを持続できなかった
  • 日経ビジネス 2003年1月20日号
    • [8]2001年度は2540億円の連結最終赤字
    • [9]岡村社長:汎用DRAM撤退後、メモリー事業はデジカメ・携帯電話向けNAND型フラッシュメモリーに方向転換した
    • [10]岡村社長:NAND型フラッシュのメーカーは東芝、サムスン電子、サンディスクの3社だけ
    • [11]半導体事業で2003年度からの4年間に3500億円を投じ、300mmウエハー対応の増産・効率化を決定
    • [12]岡村社長は成長の姿が見えたので設備投資の方向を決めたと語った
  • 日経ビジネス 2004年6月7日号 特集(p30〜33)
    • [13]2004年3月、東北大学教授の舛岡富士雄が東芝時代に開発したフラッシュメモリーについて10億円の発明対価を求めて提訴。退職は1994年
    • [14]舛岡は東芝在籍23年の半分を工場の技術部門で過ごした
    • [15]1990年代に研究所長に次ぐ技監となったが研究予算も部下もなく、退職を決意した
    • [16]退職後も東芝から年に数十万円の特許報酬が振り込まれているが、舛岡は「カネの問題ではない」と言う
  • 東芝 アニュアルレポート 2007
    • [17]知的財産:NAND型フラッシュメモリの特許群を戦略的に活用し企業収益の向上を図る

2004年〜四日市の第3〜第5製造棟を米社と分担した増産と、縦に積むBiCS FLASH

2005年2月、東芝は四日市工場で直径300mmウエハーに対応した第3製造棟を稼働させた。2005年度の東芝の設備投資は、連結で3,629億円だった。東芝は別に、フラッシュビジョンやフラッシュパートナーズなど持分法適用会社3社を通じて1,861億円を投じた。2007年9月には、四日市工場の第4製造棟が竣工した。2007年度の設備投資6,189億円のうち、電子デバイス部門は4,365億円を占めた。電子デバイス部門の額には、フラッシュアライアンスなど合弁の投資の東芝分1,815億円が含まれた。東芝社長の西田厚聰氏は事業の選択と集中を問われ、『われわれが目指している方向は非常にはっきりしていて、今後も市場の成長が期待できる商品分野に経営資源を集中的に投下するということです。』と答えた。西田厚聰氏は2006年10月に米ウェスチングハウスを買収し、原子力も成長分野に加えた。

  • キオクシアホールディングス 有価証券届出書(新規公開時・2024年11月8日)
    • [18]2005年2月、四日市工場で300mmクリーンルームである第3製造棟を稼動
    • [21]2007年9月、四日市工場第4製造棟の竣工
  • 東芝 有価証券報告書 第167期(2006年3月期)
    • [19]2005年度の設備投資3,629億円のほか、持分法適用会社フラッシュビジョン㈲・フラッシュパートナーズ㈲・SED㈱を通じて1,861億円を投資
    • [20]2005年度の設備投資3,629億円のほか、持分法適用会社フラッシュビジョン㈲・フラッシュパートナーズ㈲・SED㈱を通じて1,861億円を投資
  • 東芝 有価証券報告書 第169期(2008年3月期)
    • [22]2007年度の設備投資6,189億円(発注ベース)。電子デバイス4,365億円はフラッシュアライアンス㈲等の投資の当社分1,815億円を含む
    • [23]2007年度の設備投資6,189億円(発注ベース)。電子デバイス4,365億円はフラッシュアライアンス㈲等の投資の当社分1,815億円を含む
  • 東芝 アニュアルレポート 2007
    • [24]西田社長:市場の成長が期待できる商品分野に経営資源を集中的に投下する
    • [25]2006年10月にウェスチングハウス社グループを買収し、原子力事業が成長分野に加わった

2007年6月、東芝は記憶素子を垂直方向に積み上げる3次元フラッシュメモリの技術を開発した。東芝は2007年度の研究開発の成果として、積層した電極を柱状の素子列で垂直に貫く新型のメモリセル配列を挙げた。東芝はこの配列を、微細化に依存しない大容量化の技術と位置づけた。同じ年度に東芝は43ナノメートル世代のNAND型を商品化し、56ナノメートル世代より同容量のチップ面積を30%小さくした。西田厚聰氏は2007年、東芝のNAND型が微細化と多値化の技術で世界の先端にあると述べた。平面の微細化で先行しながら別の構造を開発したのは、線幅の縮小による改善がいずれ止まると見越したためとみられる。

  • キオクシアホールディングス 有価証券届出書(新規公開時・2024年11月8日)
    • [26]2007年6月、3次元フラッシュメモリ技術(垂直方向に素子を積み上げる3次元積層構造)を開発
  • 東芝 有価証券報告書 第169期(2008年3月期)
    • [27]研究開発の成果:積層した電極に柱状の素子列を垂直に貫通させて高密度配列した新型3次元メモリセルアレイ技術を開発
    • [28]同技術を微細化によらないNAND型フラッシュメモリの大容量化技術と位置づけ
    • [29]43ナノメートル世代のNAND型を商品化し、56ナノメートル世代の同容量品に対しチップ面積を30%削減
  • 東芝 アニュアルレポート 2007
    • [30]西田社長:NAND型フラッシュメモリは微細化や多値化の技術で世界の最先端を走っている

2008年度、東芝の電子デバイス部門は323,216百万円のセグメント損失を計上した。2009年度には半導体事業がメモリの好調で黒字に転換し、東芝全体でも計画を約1,300億円上回る4,300億円の固定費を削減した。東芝社長の佐々木則夫氏のもとで、東芝は2012年度の電子デバイス部門の売上高を1兆6,500億円とする計画を示した。2009年度の実績は1兆3,091億円で、計画は半導体でメモリ事業への注力を掲げた。2010年7月、東芝はサンディスクと、四日市工場の第5製造棟に製造合弁会社を設ける契約を結んだ。四日市工場の第5製造棟は、2011年7月に竣工した。赤字の翌年度に増産へ戻れたのは、建屋と設備の負担を合弁相手と分け合う仕組みを保っていたためと考えられる。

  • 東芝 有価証券報告書 第170期(2009年3月期)セグメント情報
    • [31]2009年3月期の電子デバイス部門のセグメント損益は△323,216百万円
  • 東芝 アニュアルレポート 2010
    • [32]2009年度は半導体事業がメモリの好調で黒字化し、当初計画を約1,300億円上回る4,300億円の固定費を削減
    • [33]2012年度計画で電子デバイス部門の売上高1兆6,500億円(署名は取締役会長 西田厚聰・代表執行役社長 佐々木則夫)
    • [34]電子デバイス部門の2009年度実績は売上高1兆3,091億円。半導体事業はメモリ事業への注力を掲げる
  • 東芝 有価証券報告書 第172期(2011年3月期)
    • [35]2010年7月、SanDisk Corporationらと四日市工場第5製造棟の製造合弁会社を設立する合弁契約を締結
  • キオクシアホールディングス 有価証券届出書(新規公開時・2024年11月8日)
    • [36]2011年7月、四日市工場第5製造棟の竣工
参考文献[18]-[36]
  • キオクシアホールディングス 有価証券届出書(新規公開時・2024年11月8日)
    • [18]2005年2月、四日市工場で300mmクリーンルームである第3製造棟を稼動
    • [21]2007年9月、四日市工場第4製造棟の竣工
    • [26]2007年6月、3次元フラッシュメモリ技術(垂直方向に素子を積み上げる3次元積層構造)を開発
    • [36]2011年7月、四日市工場第5製造棟の竣工
  • 東芝 有価証券報告書 第167期(2006年3月期)
    • [19]2005年度の設備投資3,629億円のほか、持分法適用会社フラッシュビジョン㈲・フラッシュパートナーズ㈲・SED㈱を通じて1,861億円を投資
    • [20]2005年度の設備投資3,629億円のほか、持分法適用会社フラッシュビジョン㈲・フラッシュパートナーズ㈲・SED㈱を通じて1,861億円を投資
  • 東芝 有価証券報告書 第169期(2008年3月期)
    • [22]2007年度の設備投資6,189億円(発注ベース)。電子デバイス4,365億円はフラッシュアライアンス㈲等の投資の当社分1,815億円を含む
    • [23]2007年度の設備投資6,189億円(発注ベース)。電子デバイス4,365億円はフラッシュアライアンス㈲等の投資の当社分1,815億円を含む
    • [27]研究開発の成果:積層した電極に柱状の素子列を垂直に貫通させて高密度配列した新型3次元メモリセルアレイ技術を開発
    • [28]同技術を微細化によらないNAND型フラッシュメモリの大容量化技術と位置づけ
    • [29]43ナノメートル世代のNAND型を商品化し、56ナノメートル世代の同容量品に対しチップ面積を30%削減
  • 東芝 アニュアルレポート 2007
    • [24]西田社長:市場の成長が期待できる商品分野に経営資源を集中的に投下する
    • [25]2006年10月にウェスチングハウス社グループを買収し、原子力事業が成長分野に加わった
    • [30]西田社長:NAND型フラッシュメモリは微細化や多値化の技術で世界の最先端を走っている
  • 東芝 有価証券報告書 第170期(2009年3月期)セグメント情報
    • [31]2009年3月期の電子デバイス部門のセグメント損益は△323,216百万円
  • 東芝 アニュアルレポート 2010
    • [32]2009年度は半導体事業がメモリの好調で黒字化し、当初計画を約1,300億円上回る4,300億円の固定費を削減
    • [33]2012年度計画で電子デバイス部門の売上高1兆6,500億円(署名は取締役会長 西田厚聰・代表執行役社長 佐々木則夫)
    • [34]電子デバイス部門の2009年度実績は売上高1兆3,091億円。半導体事業はメモリ事業への注力を掲げる
  • 東芝 有価証券報告書 第172期(2011年3月期)
    • [35]2010年7月、SanDisk Corporationらと四日市工場第5製造棟の製造合弁会社を設立する合弁契約を締結

2011年〜48層のBiCS FLASHと、会計不正と原子力の損失で揺らいだ親会社

東芝は2014年4月に15ナノメートル世代のNAND型の量産を始め、3次元構造の次世代品は2014年度中のサンプル出荷をめざした。東芝はアニュアルレポート2014の株主あての文書で、ストレージ事業について『技術優位性を保ち、市場をリードし続けるため、今後もストレージ事業には経営資源を重点的に配分していきます。』と記した。2015年3月、東芝は48層積層のBiCS FLASHのサンプル出荷を始めた。3次元の技術を開発した2007年6月から、製品のサンプル出荷までに約8年を要した。2016年7月には四日市工場の新第2製造棟が竣工し、64層積層の第3世代BiCS FLASHのサンプル出荷も始まった。平面の微細化を15ナノメートルまで進めた段階で、東芝は量産の主軸を3次元へ移す準備を製品と工場の両面で整えた。

  • 東芝 アニュアルレポート 2014
    • [37]2014年4月から15ナノメートル製品を量産。三次元構造の次世代NANDは2014年度中のサンプル出荷をめざす
    • [38]ストレージ事業には経営資源を重点的に配分していく
  • キオクシアホールディングス 有価証券届出書(新規公開時・2024年11月8日)
    • [39]2015年3月、48層積層プロセスを用いたBiCS FLASHのサンプル出荷開始
    • [40]2007年6月に3次元フラッシュメモリ技術を開発、2015年3月に48層BiCS FLASHのサンプル出荷
    • [41]2016年7月、四日市工場の新第2製造棟の竣工。64層積層の第3世代BiCS FLASHのサンプル出荷開始
    • [42]2014年4月に15nmプロセスの128ギガビットNANDを量産、2015〜2016年に3次元品のサンプル出荷と新製造棟の竣工

2015年7月20日、東芝は不適切な会計処理を調べた第三者委員会から報告書を受け取った。報告書は、経営トップらの組織的な関与と、見かけ上の利益をかさ上げする目的を直接の原因に挙げた。翌21日に東芝社長の田中久雄氏と副会長の佐々木則夫氏が辞任し、相談役の西田厚聰氏も同日に相談役を辞任した。東芝は2015年9月7日に第171期から第175期までの財務諸表を訂正した。東芝は再発防止に加え、事業の集中と選択と、売却を含む保有資産の効率化を課題に据えた。東芝は室町正志氏の社長在任中に、ヘルスケア事業と家庭電器事業を売却した。2016年6月に社長へ就任した綱川智氏は、エネルギー、社会インフラ、ストレージの3領域に集中する方針を掲げた。メモリ事業は、残った3領域のなかで東芝の資金を生む中核に置かれたと読める。

  • 東芝 アニュアルレポート 2015
    • [43]2015年7月20日、第三者委員会から調査報告書を受領
    • [45]2015年7月21日、田中久雄社長、佐々木則夫副会長らが辞任し、相談役の西田厚聰も同日辞任
    • [46]2015年9月7日、第171期〜第175期の連結財務諸表と財務諸表を訂正
  • 東芝 有価証券報告書 第176期(2015年3月期)
    • [44]対処すべき課題:直接的原因として経営トップらの組織的関与、見かけ上の利益のかさ上げの目的、当期利益至上主義を挙げる
    • [47]事業の集中と選択による抜本的改革と、売却を含む保有資産の効率化を進める
  • 東芝 アニュアルレポート 2016
    • [48]前社長室町の「新生東芝」路線を引き継ぎ、ヘルスケア・家庭電器事業を売却。2016年6月就任の綱川社長がエネルギー・社会インフラ・ストレージの3注力領域への集中を決定
    • [49]前社長室町の「新生東芝」路線を引き継ぎ、ヘルスケア・家庭電器事業を売却。2016年6月就任の綱川社長がエネルギー・社会インフラ・ストレージの3注力領域への集中を決定

東芝社長の綱川智氏は2016年、東芝の中核事業について『当社には世界No.1の原子力事業と世界No.2のNAND事業があります。』と述べた。NAND型の合弁相手であったサンディスクは、ウエスタンデジタルに買収された。合弁会社の設備リースには東芝とウエスタンデジタルが50%ずつ債務保証し、東芝は相手の不履行分を承継する可能性を負った。原子力では、ウェスチングハウスが2015年12月31日にCB&I傘下のS&Wの全株式を取得した。取得後の見積りで、米国の原子力発電所建設に61億米ドルのコスト増を見込む必要が判明した。東芝はこの損失を織り込み、原子力事業部ののれんの全額を減損した。2016年12月28日の格付の引き下げで、東芝の借入は財務制限条項に抵触した。原子力の損失で資本の手当てを迫られた東芝では、メモリ事業の扱いが資本対策の焦点に浮かんだと推測される。

  • 東芝 アニュアルレポート 2016
    • [50]綱川社長:世界No.1の原子力事業と世界No.2のNAND事業がある
  • 東芝 有価証券報告書 第178期(2017年3月期)
    • [51]合弁相手SanDisk CorporationはWestern Digital Corporationに買収され、SanDisk Limited Liability Companyに名称変更
    • [52]製造合弁会社の設備リースに当社とWDが50%ずつ債務保証。WDが履行できない場合は当社が承継する可能性
    • [53]WECが2015年12月31日にS&Wの全株式を取得。その後、米国のプロジェクトで合計61億米ドルのコスト増を見込む必要が判明
    • [54]WECが2015年12月31日にS&Wの全株式を取得。その後、米国のプロジェクトで合計61億米ドルのコスト増を見込む必要が判明
    • [55]コスト増に伴う損失を織り込み、原子力事業部に計上されるのれんの全額を減損
    • [56]2016年12月28日付の格付引下げにより財務制限条項に抵触
参考文献[37]-[56]
  • 東芝 アニュアルレポート 2014
    • [37]2014年4月から15ナノメートル製品を量産。三次元構造の次世代NANDは2014年度中のサンプル出荷をめざす
    • [38]ストレージ事業には経営資源を重点的に配分していく
  • キオクシアホールディングス 有価証券届出書(新規公開時・2024年11月8日)
    • [39]2015年3月、48層積層プロセスを用いたBiCS FLASHのサンプル出荷開始
    • [40]2007年6月に3次元フラッシュメモリ技術を開発、2015年3月に48層BiCS FLASHのサンプル出荷
    • [41]2016年7月、四日市工場の新第2製造棟の竣工。64層積層の第3世代BiCS FLASHのサンプル出荷開始
    • [42]2014年4月に15nmプロセスの128ギガビットNANDを量産、2015〜2016年に3次元品のサンプル出荷と新製造棟の竣工
  • 東芝 アニュアルレポート 2015
    • [43]2015年7月20日、第三者委員会から調査報告書を受領
    • [45]2015年7月21日、田中久雄社長、佐々木則夫副会長らが辞任し、相談役の西田厚聰も同日辞任
    • [46]2015年9月7日、第171期〜第175期の連結財務諸表と財務諸表を訂正
  • 東芝 有価証券報告書 第176期(2015年3月期)
    • [44]対処すべき課題:直接的原因として経営トップらの組織的関与、見かけ上の利益のかさ上げの目的、当期利益至上主義を挙げる
    • [47]事業の集中と選択による抜本的改革と、売却を含む保有資産の効率化を進める
  • 東芝 アニュアルレポート 2016
    • [48]前社長室町の「新生東芝」路線を引き継ぎ、ヘルスケア・家庭電器事業を売却。2016年6月就任の綱川社長がエネルギー・社会インフラ・ストレージの3注力領域への集中を決定
    • [49]前社長室町の「新生東芝」路線を引き継ぎ、ヘルスケア・家庭電器事業を売却。2016年6月就任の綱川社長がエネルギー・社会インフラ・ストレージの3注力領域への集中を決定
    • [50]綱川社長:世界No.1の原子力事業と世界No.2のNAND事業がある
  • 東芝 有価証券報告書 第178期(2017年3月期)
    • [51]合弁相手SanDisk CorporationはWestern Digital Corporationに買収され、SanDisk Limited Liability Companyに名称変更
    • [52]製造合弁会社の設備リースに当社とWDが50%ずつ債務保証。WDが履行できない場合は当社が承継する可能性
    • [53]WECが2015年12月31日にS&Wの全株式を取得。その後、米国のプロジェクトで合計61億米ドルのコスト増を見込む必要が判明
    • [54]WECが2015年12月31日にS&Wの全株式を取得。その後、米国のプロジェクトで合計61億米ドルのコスト増を見込む必要が判明
    • [55]コスト増に伴う損失を織り込み、原子力事業部に計上されるのれんの全額を減損
    • [56]2016年12月28日付の格付引下げにより財務制限条項に抵触

出典・参考

16件
出典・参考
  • 東芝 アニュアルレポート 2001
  • 東芝 有価証券報告書 第167期(2006年3月期)
  • 東芝 アニュアルレポート 2007
  • 東芝 有価証券報告書 第169期(2008年3月期)
  • 東芝 有価証券報告書 第170期(2009年3月期)セグメント情報
  • 東芝 アニュアルレポート 2010
  • 東芝 有価証券報告書 第172期(2011年3月期)
  • 東芝 アニュアルレポート 2014
  • 東芝 アニュアルレポート 2015
  • 東芝 有価証券報告書 第176期(2015年3月期)
  • 東芝 アニュアルレポート 2016
  • 東芝 有価証券報告書 第178期(2017年3月期)
  • 日経ビジネス 2000年6月5日号
  • 日経ビジネス 2003年1月20日号
  • 日経ビジネス 2004年6月7日号 特集(p30〜33)
  • キオクシアホールディングス 有価証券届出書(新規公開時・2024年11月8日)

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