キオクシアホールディングス の歴史

キオクシアのNAND型フラッシュメモリ事業は、母体である東芝（東京芝浦電気）の半導体事業^[1]から分かれた。東京芝浦電気は1951年1月、川崎市の小向工場でトランジスタを試作した^[2]。1956年7月までには、東京通信工業（後のソニー）・日立製作所・三菱電機・神戸工業とともに、米ベル研究所とウェスタン・エレクトリックからトランジスタ技術のライセンスを受けた日本の最初期5社の一角を占めた^[3]。ただし東芝は、メモリではNECと日立製作所の後塵を拝していた^[4]。第2次石油危機をはさむ時期には設備投資を抑えて事業の規模を縮め^[5]、1981年に川西剛氏が半導体事業部長に就いた直後には、東芝がDRAMから撤退するという報道^[6]が新聞に出た。

東芝が1MビットDRAMで首位に立った^[7]のは、技術と投資の両面で他社と別の道を選んだためである。DRAMは集積度が上がるほど掘り下げるか積み上げるかの立体加工^[8]が要るが、東芝は1Mビット世代で平面セルと低消費電力のCMOSを選び^[9]、消費電力を従来の半分未満に抑えて量産性で優位に立った。各社が64Kビットから256Kビットへ生産を移す時期に、東芝は一挙に1Mビットへ先行投資^[10]し、1986年に月産100万個へ量産を伸ばし、^[11]この製品分野で世界首位となった。同年、日本の半導体シェアは米国を抜き、東芝もNEC・日立製作所とともに上位を占めた^[12]。9月2日には日米半導体協定が結ばれ^[13]、公正市場価格を下回る販売が規制された。東芝機械のココム違反事件^[14]で東芝が米国市場から締め出されかけたときは、1MビットDRAMを頼るIBMとヒューレット・パッカードが米議会に働きかけ、制裁は米政府関連の調達からの排除にとどまった。

キオクシアの主力製品であるNAND型フラッシュメモリは、東芝の技術者が発明した^[15]。舛岡富士雄氏は1980年に川崎の研究拠点で^[16]数名の技術者と不揮発性メモリの開発に着手し、1984年の国際会議IEDM^[17]で、記憶素子を1個のトランジスタで構成する小型のメモリを発表した。ビット当たりの面積は従来のEEPROMの4分の1以下^[18]で、一括して素早く消せる様子がカメラのフラッシュを思わせることから、同僚の有泉章二氏が『フラッシュ』と名付けた^[19]。後にNOR型と呼ばれるこの方式に対し、舛岡氏は素子をまとめて直列につなぎ、面積あたりの記憶容量を高めたNAND型^[20]を考案した。東芝は1987年のIEDMでこれを世界で初めて発表した^[21]。狙いは、パソコンのハードディスクを半導体で置き換える^[22]ことにあった。

東芝は1991年に世界初の4MビットNAND型フラッシュメモリを製品化^[23]し、1992年には三重県に四日市工場を設けた^[24]。ただし発明を事業にする速さでは後れを取り、東芝の開発要員は1991年の時点で数十人規模^[25]にとどまった。1986年に事業部を置き数百人体制を組んだインテルが、1992年にはフラッシュメモリの世界市場で85%以上^[26]を占めた。東芝は同年、NAND技術を韓国のサムスン電子へ供与した^[27]。サムスンは半導体不況で日本勢が投資を抑えた1992年に8インチ量産ラインへ踏み込み^[28]、この投資でDRAMの世界首位へ躍り出た。舛岡氏は処遇への不満から1994年に東芝を退職して東北大学教授に転じ^[29]、発明対価を求めた訴訟は2006年に和解した^[30]。東芝は16Mビット世代でDRAMの競争力を保てず^[31]、四日市がNAND型の生産を始めた1999年^[32]には、携帯電話とデジタルカメラの普及でフラッシュメモリの需給が逼迫していた^[33]。