東芝 NAND型フラッシュへ集中 汎用DRAM事業からの撤退と、主力メモリの入れ替え

1980年代に1メガビットDRAMで世界の先頭に立った東芝が、2001年12月に汎用DRAM事業からの撤退を決めた。米国の生産拠点ドミニオン・セミコンダクタ社をマイクロン・テクノロジー社へ売却し、主としてDRAMの組み立てを担っていた100％子会社1社の閉鎖もあわせて決めた。

撤退に伴う建物・製造機械設備等の評価損及び廃棄損は5,125百万円、契約破棄損失や固定資産の解体費用を含むその他の損失は31,083百万円。半導体製品向けに保有する製造用機械装置等には55,247百万円の減損を計上した。空いた資源は、みずから発明したNAND型フラッシュメモリとシステムLSIへ寄せた。

各社が256キロビットへ移るなかで一挙に1メガビットへ先行投資した東芝はDRAMで世界一となり、川西剛副社長は「DRAMエンペラー」と呼ばれた。一方で舛岡富士雄氏が1987年にNAND型フラッシュメモリを発表し、強みの分野へ賭けを重ねる素地ができていた。

1990年代を通じて汎用DRAMはコモディティ化し、韓国・台湾勢が量産で追い上げる。市況によって価格が大幅に変動し、急激な価格下落がグループ全体の収益をも揺るがしかねない事業へ変わっていた。他社に先駆けて大容量品を投入することによる先行者利益も、以前ほど見込めなくなっていた。単独で続けるビジネスリスクは、期待できるメリットをはるかに上回っていた。

2001年8月に策定した「01アクションプラン」は、独自の経営指標TVCによる事業の集中と選択、調達コストの20％削減、グループ人員の10％削減、資産8,000億円の圧縮を四つの重点項目に据えた。汎用DRAMからの撤退は、そのTVCの厳格な運用が導いた事業構造改革の最重要課題で、松下電器産業との液晶事業合弁会社の設立、三菱電機との電力系統・変電分野の事業統合と並んで実行に移した。

2001年度の連結売上高は前年度比9％減の5兆3,940億円、営業損益は1,136億円の損失となり、創業以来初めて営業損失を計上した。事業構造改革費用2,089億円の計上などで税引前損益は3,767億円の損失、当期純損失は2,540億円にのぼった。

電子デバイス部門の売上高は2001年3月期の1兆5,513億円から2002年3月期に1兆748億円へ落ち、1,763億円の営業損失を計上した。撤退の翌期には319億円の営業利益へ戻り、2004年3月期には1,170億円まで回復する。落ち込みの深さと戻りの速さが、この撤退の輪郭をそのまま描いている。

世界一の事業をあえて畳み、稼げる分野へ資源を配分する選択と集中の型は、その後の原子力への集中投資と、2018年のメモリ事業売却へと連なっていった。