キオクシアホールディングス：NAND型フラッシュメモリの量産と四日市工場の設立

東芝は1991年、世界初の4MビットNAND型フラッシュメモリを製品化した。同じ年、東芝は社長の青井舒一氏の名で、1Mビットに続く4MビットDRAMの制覇を公言していた。メモリで2世代を続けて制覇した例は、それまでになかった。1Mビットは最初から制覇を狙ったのではなく、遅れを取り戻そうと走っていたら横に誰もいなくなっていた、というのが青井氏の説明である。4Mビットについても、青井氏は『4メガの場合でも、ただ一生懸命走っている。現在、日立さんが隣で走っていらっしゃるが、そのうち後ろに行っちゃうかもしれない』と構えていた。東芝の経営資源は、DRAMの連覇のほうへ向いた。1992年には三重県に四日市工場が発足し、1993年に始まった第1製造棟の操業で最初に作られた品種は16MビットDRAMだった。四日市でNAND型の生産が始まるのは、その6年後である。

メモリの量産をどこで行うかについて、東芝は他社と逆の答えを出した。1993年に円高が進むと、日本電気・富士通・日立製作所は海外拠点の生産能力を増強した。東芝は前工程を大分・四日市・モトローラとの合弁である東北セミコンダクタの3工場に集中させたまま動かさなかった。1ドル100円までは日本で作るほうが安い、というのが半導体営業統括部の見立てである。国内に集中させた前工程を支えたのは、現場の改善だった。大分工場では、改善箇所に赤いシールを貼る絵符付けの提案が多い月で1000件に上った。1991年には15億円を投じた半導体技術訓練センターを設け、高卒の現場技術者を1年間養成した。量でみるとメモリの比率が大きく、市況の波は事業全体を振った。

1993年度は、東芝の半導体事業本部にとって災難の年だった。上期には予想を上回る円高が進み、下期には旧東独への半導体技術輸出に対する行政制裁で27か国への1か月の輸出停止処分を受けた。それでも大山昌伸半導体事業本部長は、その年度の半導体事業の収益の目処はついたと言い切った。1994年3月期の半導体売上高は、前期比6%増の7300億円を見込んでいた。1993年3月期でメモリは半導体事業の売上高の36%を占めた。DRAMを中心とするMOSメモリの世界シェアは1992年で10.6%と、日立製作所と三星電子の9.9%を抑えて首位だった。三星電子は前年の投資でDRAMの首位に立っており、1993年には東芝がその攻勢を受けていた。

フラッシュメモリの市場を先に取ったのは、米インテルだった。1992年3月、インテルは発売済みの1Mビット品と2Mビット品の価格を15%から50%引き下げた。4月には各社に先駆けて8Mビット品を4500円で発売し、DRAM並みで従来の半値に近い水準を付けた。これから4Mビットを量産化する日本勢は打撃を受けた、と日本のメーカーの関係者は述べた。置き換えの相手として見込まれたのは、当時5兆円、2000年には20兆円になるとされたハードディスクなどの磁気メモリ市場である。日本の各社は1Mから8Mビットを助走と位置づけ、市場が急拡大する16Mビット以降で本格的に競うと構えた。見える市場へ一斉に走る型は、DRAMで通用した型でもあった。

東芝が主力に選んだのは、自ら考案したNAND型だった。ULSI研究所研究第3部長の舛岡富士雄氏は『HDDとの代替にはNAND型が最も適している。ほかのメーカーもそれは分かっているはず』とみていた。NAND型は素子を直列につなぐ構造で、ビット当たりのコストがNOR型の半分強で済んだ。書き換えられる回数も原理的に1桁多く、書き換えにかかる時間も短かった。弱点は、読み出しの速度がNOR型より遅いことだった。東芝以外の日本メーカーの多くは、従来のEEPROMに技術的に近く扱いやすいNOR型から手をつけた。インテルジャパンの傅田信行副社長はNAND型をやるつもりは全くないと言い切り、ハードディスクの置き換えに絞らず用途の開拓に力を入れた。東芝は1992年、そのNAND技術を韓国の三星電子へ供与した。三星は半導体不況で日本勢が投資を抑えた同じ年に8インチウエハーの量産ラインへ着手し、DRAMの世界首位へ出た。

置き換えの相手と見込んだハードディスクが、先に小さくなった。1992年6月、米ヒューレット・パッカードが開発した1.3インチの超小型ハードディスクが発表された。36.5×50.8×10.5ミリのマッチ箱ほどの大きさで重さ32グラム、記憶容量は約20メガバイトである。衝撃を検知するセンサーとガラス基板の採用で、動作中に1メートルの高さから落としても壊れなくなった。米データクエストは、1メガバイト当たりの単価が1995年でもハードディスクの5倍程度にとどまり、2000年時点でもなお割高だと予測した。東芝の見方は逆だった。舛岡富士雄氏は置き換えを『真空管とトランジスタの関係のように、HDDがいずれはフラッシュメモリーに置き換わるのは歴史の必然』と位置づけ、東芝は1994年に32メガ、1995年に64メガと128メガビットの製品を出す計画だった。

ハードディスクの置き換えという当初の狙いは、実現しなかった。ハードディスクの容量は予想を上回る速さで増え、価格も下がり続けた。容量と価格では太刀打ちできないことが明白になった。ただし一定の容量以下なら、モーターや記録再生の機構を省いて安く作れることも分かった。東芝の開発陣は、余分な機能をはぎ取って小さく安く作る方針へ転換した。行き着いたのが、信号の記録を制御するコントローラーを持たないメモリである。1995年に産声を上げたスマートメディアの正式名称は、ソリッドステート・フロッピーディスク・カードという。ハードディスクではなく軽量薄型のフロッピーディスクを目指す、180度の方向転換だった。この間も四日市工場の主力品種はDRAMで、1996年には64MビットDRAMを生産した。

薄さと価格の優位は、使う側の選択が証明した。1997年夏以降、オリンパス光学工業がスマートメディアを採用したデジタルカメラで、出荷台数の首位に立っていたカシオ計算機を追い上げた。4メガバイト品の価格はコンパクトフラッシュの1万7000円に対し6800円だった。DRAMについて、上席常務の森本泰生氏は1998年に『当社は1メガ、4メガの時代にはトップサプライヤーとして位置づけられていたが、16メガではトップクラスの競争力を確保できなかった』と総括した。入れ替わるように、1999年春先から携帯電話とデジタルカメラの普及でフラッシュメモリの需給が逼迫し、大手が相次いで値上げに転じた。同じ年の7月、東芝はIBMと合弁で運営していた米国の半導体工場の経営権を取得した。四日市でNAND型の生産が始まったのも1999年である。用途が決まって初めて、発明は事業の形を得た。