早坂伸夫
キオクシアホールディングス・元代表取締役社長社長執行役員
Hayasaka Nobuo（1955年生まれ）
就任年 2024年
就任時年齢 68歳
退任年 2024年
在任期間 1年
出自 ㈱東芝 入社
- 技術統括出身の社長として、米ウエスタンデジタルとの経営統合交渉が破談したのちも単独路線を選び、先端3D NANDの世代開発を軸に事業を継続した経営者である。
- 2021〜2023年に米ウエスタンデジタルとのメモリ事業統合交渉が進むも、SKハイニックスの同意を得られず2023年10月に破談
- 統合案は議決権の過半をWD側に渡す前提とされ、破談後は単独での成長戦略を描き直す
- メモリ市況の急落（2022〜2023年の在庫調整）と2024年の回復を単独経営のまま乗り切る
- 3D NAND「BiCS FLASH」の多層化・世代開発を指揮し、技術本部長・技術統括を歴任した強みを事業の柱に据える
- ベインキャピタル連合の非公開下で進めた財務再建を、4年越しの東証プライム上場で一区切りつけた。
- 2020年に予定した新規上場を米中摩擦などで延期し、2024年12月18日に東証プライム市場へ上場（証券コード285A、初値1,440円）
- 上場時の時価総額は約7,760億円で、公開価格1,455円を初値が下回る需給環境での上場
- ベインキャピタル連合・東芝・HOYAらの保有構成を残したまま、非公開のオーナー体制から公開市場へ移行
- 2024年12月の東証プライム上場を実現したのち、2026年6月25日の定時株主総会で代表取締役を退任し、太田裕雄社長へ社長を引き継いだ（顧問へ）
就任前（FY23）10,766億円
退任時（FY24）17,065億円
変化（1カ年）+59%
就任前（FY23）-23.5%
退任時（FY24）26.5%
変化（1カ年）+50.0pt
早坂伸夫の経歴社長就任に至るキャリア
所属・役職1984年201020202024年╱╱
東芝
1984年入社
2001年セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第五部長
2004年セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第三部長
2007年セミコンダクター社先端メモリ開発センター長
2013年セミコンダクター＆ストレージ社統括技師長
2014年執行役常務
2017年旧東芝メモリ㈱ 取締役副社長
| 年月 | 内容 |
|---|---|
| 1984-04 | ㈱東芝 入社 |
| 2001-07 | セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第五部長 |
| 2004-10 | セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第三部長 |
| 2007-12 | セミコンダクター社先端メモリ開発センター長 |
| 2013-10 | セミコンダクター＆ストレージ社統括技師長、同社半導体研究開発センター長 |
| 2014-06 | 執行役常務 （セミコンダクター＆ストレージ社統括技師長、同社半導体研究開発センター長） |
| 2015-03 | 執行役常務 （セミコンダクター＆ストレージ社統括技師長） |
| 2015-10 | 執行役常務 （セミコンダクター＆ストレージ社統括技師長、同社事業化推進プロジェクトチームプロジェクトマネージャー） |
| 2016-04 | 執行役常務 （ストレージ＆デバイスソリューション社統括技師長、同社事業化推進プロジェクトチームプロジェクトマネージャー） |
| 2016-06 | 執行役常務 （ストレージ＆デバイスソリューション社副社長、同社統括技師長、同社事業化推進プロジェクトチームプロジェクトマネージャー） |
| 2017-04 | 旧東芝メモリ㈱ 取締役副社長（技術本部長） |
| 2017-06 | 旧東芝メモリ㈱ 取締役副社長（技術本部長） 退任 ／ ㈱東芝 執行役常務 退任、旧東芝メモリ㈱ 技術統括 就任 |
| 2018-08 | 東芝メモリ㈱（現キオクシア㈱） 副社長執行役員、技術統括責任者 |
| 2019-07 | 当社 代表取締役 副社長執行役員 ／ 東芝メモリ㈱（現キオクシア㈱） 代表取締役 副社長執行役員、技術統括責任者 |
| 2020-01 | 当社 代表取締役社長 社長執行役員 ／ キオクシア㈱ 代表取締役社長 社長執行役員 |
| 2026-04 | 当社 代表取締役（現任） ／ キオクシア㈱ 代表取締役（現任） |